西安交通大学考研849半导体物理2008年真题（整理版）.docxVIP

2008年真题 一、简答题 1、画出k空间砷化镓能带结构的示意图，据此说明什么是负微分迁移率。 2、画出轻掺杂n型半导体电子浓度随温度变化的曲线示意图，并作出相应的说明。 3、以硅杂质半导体为例，说明电子迁移率随温度和杂质浓度的变化规律。 4、画出硅中电子的漂移速度和电场强度的关系曲线，并简述强电场下欧姆定律发生偏移原因。 5、说明载流子复合过程的主要微观机构，如果在硅中用光照来产生非平衡载流子，这些非平衡载流子将会通过哪种复合过程被复合？ 6、电子以一个脉冲信号的方式注入到p型半导体中，请简要描述随后半导体内部发生的过程。 7、图1画出了四个理想的MOS电容结构的电荷分布，横坐标轴以上代表正电荷分布，横坐标轴以下代表负电荷分布，分别之初各个结构中半导体的类型，并画出半导体一侧的能带结构示意图。 8、解释为什么肖特基二极管不存在扩散电容。在什么条件下金属-半导体接触时整流型的？ 9、说明用霍尔效应测定半导体载流子浓度和迁移率的原理。 说明半导体异质结的电致发光机构，并用相应的能带结图示意。 二、证明与计算 1、以一块处于热平衡状态的非均匀掺杂的n型非简并半导体为例，证明爱因斯坦关系式。 2、T=300K，硅中掺杂了浓度为2*1017cm-3的受主杂质，为了使费米能级处于本征费米能级以下0.35eV的位置，需要加入额外的杂质，请问需要加入的杂志原子的类型和浓度。 3、金属-SiO2-