西安交通大学考研849半导体物理2005年真题（整理版）.docxVIP

2005年真题 简述非简并杂质半导体电阻率随温度的变化规律。 以硅杂质半导体为例，简述载流子的主要散射机构及迁移率随温度的变化规律。 何谓少数载流子寿命？决定半导体材料少子寿命大小的主要因素有哪些？ 四、为什么一个正向导通的pn结二极管在关断之初会在一段时间内产生反向电流而肖特基势垒二极管却几乎不会? 五、一维情况下，描写非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续性方程各部分所表示的物理意义。 六、对P型衬底的理想MIS结构，分别画出外加偏压下MIS结构中对应于多子积累、多子耗尽及临界强反型时的能带图，并说明金属应分别加何种偏压及半导体表面势满足的条件。 七、研究半导体中电子运动时为什么引入有效质量的概念？砷化镓导带最低能谷中电子有效质量和次低能谷中有效质量哪个大？画出k空间砷化镓能带结构的示意图，据此说明什么是负微分迁移率。在能带结构上必须具备什么特征的半导体才有可能发生负微分迁移率现象？发生负微分迁移率现象的外部条件是什么？ 八、画出热平衡状态和光照状态下的pn结能带图，说明什么是光生伏特效应。示意地画出光照下pn结的伏安特性曲线。下面是pn结硅光电池的示意图，分别绘图或用语言说明下列要求内容： （1）pn结自建电场方向； （2）光生载流子的运动方向； （3）光生电流的方向； （4）pn结正向电流方向 （5）广生电压的正、负极。 九、在讨论掺杂浓度为NA的p型半导体组成的MI