西安交通大学考研849半导体物理2012年真题（整理版）.docxVIP

2012年 名词解释 1、间接带隙材料 2、少子寿命 3、平均自由时间 4、有效质量 5、杂质补偿 二、简答题 1、以掺一种施主杂质的n型简并半导体为例，简要说明费米能级随温度的变化规律，并在EF~T的关系曲线示意图中表明版答题处于简并状态的温度区间（假设杂质能级不分裂） 2、空穴的概念是如何建立的，导电的实质是什么？ 三、计算题 用均匀掺入的一种受主杂事的单晶硅形成的MOS结构进行高频C-V特性测试，测得该结构单位面积上的最大电容为Cmax，最小电容为Cmin，开启电压为VT，平带电压为VFB 1、利用测试结果给出计算掺杂浓度的方法 2、若忽略表明面态的影响，画出该MOS结构的C-V特性曲线。