西安交通大学考研849半导体物理2016年真题（整理版）.docxVIP

2016年真题 一、名词解释 回旋共振试验 浅能级杂质 热电子发射模型 光电导 MOS深耗尽 画出根据遂穿效应在P型硅衬底上制作欧姆接触的能带图 三、设计实验求费平衡少数载流子寿命，并解释其原理 求解导带电子浓度的方法 四、如何运用公式求解导带电子浓度 五、镜像力、隧道效应对肖特基势垒二极管的影响； 六、金在硅中引入一个在导带底下面0.54eV的受主能级和价带之上0.35eV的施主能级，试说明下流情况下，金是什么荷电状态（1）高施主杂质 （2）高受主杂质 七、含杂质的半导体中迁移率的影响因素，电阻率和温度的关系？ 八、载流子的主要散射机构有哪些，说明电阻率随温度和掺杂的变化规律 九、一块n型半导体受均匀光照射，在-LxL的产生率为g，非平衡少数载流子寿命为无限大，在-3L处和3L处载流子浓度为0，求小注入、电场为0时少数载流子浓度随x的变化。 十、一块掺杂补偿型n型硅、掺磷浓度为1017cm-3，掺硼浓度为5*1016cm-3，求解（1）少子及多子浓度（2）费米能级位置（3）电阻率 Ni（cm-3） 1*1016 1.1*1016 1.2*1016 1.5*1016 1.7*1016 μn（cm2/Vs） 1030 1000 980 940 850 μp（cm2/Vs） 400 390 375 350 300 十一、饱和区电导的影响物理机制以及如何获得较小的电导 十二、已知PMOS