西安交通大学考研849半导体物理2017年真题（整理版）.docxVIP

2017年 本征吸收 肖特基势垒二极管 杂质补偿 状态密度有效质量 阈值电压公式及各项含义 B-T实验原理 强电场作用下，解释欧姆定律为什么偏移？ 金半接触加电压对能带的影响？ 9、Cmin’的计算 10、光照一个1Ωcm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子空穴对的产生为1017S-1，寿命为10微秒，表面复合速度为100cm/s，（1）单位时间单位表面积在表面复合，复合的空穴数。（2）单位时间单位表面积在距离表面三个扩散长度处体积内复合的空穴数。 11、解释DIBL，调整什么可以减小此效应 12、MOS器件IV曲线，Id电流公式