西安交通大学考研849半导体物理2018年真题（整理版）.docxVIP

2018年真题 名词解释 负微分迁移率 间接复合 深能级杂质 表面态 光电导 有效质量 Si的能带结构 状态密度有效质量和电导有效质量 PN空间电荷区 伯斯坦移动和弗朗兹克尔德什效应产生的条件，分别解释。 画出根据隧道效应，在P衬底上制造欧姆接触的能带图（欧姆接触和产生欧姆接触的方法） 为了保证玻尔兹曼近似有效，半导体内的费米能级在n型半导体中必须低于施主能级3KT，在p型半导体中，必须高于受主能级3KT。假设T=300K，求使得：硅内玻尔兹曼近似有效的最大电子浓度（n）和最大空穴浓度（p）（第三版107页4-27） 半导体中总电流恒定，由电子漂移电流和空穴扩散电流组成。电子浓度恒为1016cm-3，空穴浓度为px=1015exp?(-xL)cm-3(x≥0)，其中L=12μm，空穴扩散系数DP=12cm/s，电子迁移率μ （1）空穴扩散电流密度随x的变化关系； （2）电子电流密度随x的变化关系； 电场强度随x的变化关系； 九、器件部分简答题：考虑ΔVt的变化：（1）掺硼以后的变化 （2）在原有基础上加上复合 （3）考虑短沟道效应