第三代半导体行业系列报告之一：第三代半导体大势所趋，国内厂商全产业链布局.pdfVIP

核心观点 第三代半导体大势所趋，碳化硅更适合作为衬底材料 ：第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮 化镓GaN ，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高 温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，第三代半导体材 料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，碳化硅应用更为广泛。 新能源汽车为碳化硅材料带来巨大增量，国际大厂纷纷布局。新能源汽车为碳化硅的最重要下游领 域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等，根据Yole数 据，碳化硅功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2024年的50亿美金，复合增速约51%。 碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，复合增速达44%。目 前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。 国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设 备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和 应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。 投资建议。建议关注：设备厂商：露笑科技、三安光电、晶盛机电；衬底厂商：露笑科技、三安光 电、天科合达、山东天岳等；外延厂商：瀚天天成和东莞天域等；器件厂商：三安光电、华润微、斯 达半导、扬杰科技等 风险分析：碳化硅良率提升不及预期 ；疫情缓和不及预期； 请务必参阅正文之后的重要声明 上海合晟 2 1、第三代半导体大势所趋 2、第三代半导体产业链厂商总结 3、建议关注 4、风险分析 第三代半导体大势所趋  性能优良，广泛应用于新能源汽车、射频、工控等领域  市场增速快，国际大厂纷纷布局 请务必参阅正文之后的重要声明 4 什么是第三代半导体？  相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体（碳化硅等）禁带宽度大，电导率高、热导率高。硅 基因为结构简单，自然界储备量大，制备相对容易，被广泛应用半导体的各个领域，其中以处理信 息的集成电路最为主要。在高压、高功率、高频的分立器件领域，硅因其窄带隙，较低热导率和较 低击穿电压限制了其在该领域的应用，因而发展出宽禁带、耐高压、高热导率、高频的第二/三代半 导体。 三代半导体特性对比 第一代 -硅Si 第二代 -砷化镓GaAs 第三代 -碳化硅SiC 半导体 -锗Ge 半导体 -磷化铟InP 半导体 -氮化镓GaN 主要应用： 主要应用： 主要应用： 集成电路、部分 微电子和光电子领 新能源汽车、5G 功率分立器件 域、微波功率器件、 宏基站、光伏、风 （中低压，中低 低噪声器件、发光 电、高铁等领域 频等，硅基IGBT 二级管、激光器、 （高温、高压、高 可应用在高压领 光探测器等 频率、高电导率） 域） 生长工艺较成熟、 高电导率、高热导 制备工艺成熟、 较好的电子迁移率， 率、耐高温、耐高