形成了辐射潜在损伤Indico.pptVIP

重离子辐照对深亚微米 MOS 器件 栅介质可靠性影响的研究 1 马腾 2017 年 10 月 13 日 , 北京 · 高能所 中国科学院 新疆理化技术研究所 汇报提纲 ? 研究背景与意义 ? 实验简介 ? 实验结果 ? 机理分析 ? 总结 2 随着科学技术的发展，微电子器件在航 空航天、军事、能源领域广泛应用 研究背景与意义 3 高性能，低功耗 的微纳米器件在 该领域的应用受 到广泛关注 芯片工艺发展趋势→高集成度、高可靠性 器件内部电场随着特征尺寸的变化趋势 内部电场增强导致各类物理效应凸显 新结构（如 LDD ）新材料（如 H-K ） 一、研究背景及意义 研究背景与意义 4 一、研究背景及意义 研究背景与意义 深空辐射环境下的器件失效模式与失效率示意图 5 (1) 原因一： 随着特征尺寸的缩小，内部电场增强 (2) 原因二： 辐照导致氧化层损伤 1. 热载流子注入 2. 栅介质软击穿 3. 介质经时击穿效应 4.7 MV/cm 5 MV/cm 纳米器件 栅介质受到 辐射损伤 和 介质经时击穿效应 共同影 响。栅介质的可靠性成为 威胁器件寿命的重要因素 因此，对辐射环境下栅介质的可靠性研究变得尤为重要。 研究背景与意义 6 ? 样品描述： 0.13um PD SOI MIS 电容，面积为 45*100um 2 ，四种 不同的样品分别代表电路设计中四种不同的分立器件。 器件类型 栅氧厚度 宽长比（ W/L ） 辐照偏置 总注量 1.2VN+Pwell 约 2nm 45/100 （ um ） 零偏 10 7 /cm 2 3.3VN+Pwell 约 6.8nm 45/100 （ um ） 零偏 / 加偏 10 7 /cm 2 1.2VP+Nwell 约 2nm 45/100 （ um ） 零偏 10 7 /cm 2 3.3VP+Nwell 约 6.8nm 45/100 （ um ） 零偏 10 7 /cm 2 实验简介 7 0 1 2 3 4 5 1.0x10 -12 2.0x10 -12 3.0x10 -12 4.0x10 -12 5.0x10 -12 6.0x10 -12 7.0x10 -12 I G / A V GS /V 辐照前 辐照后 I leakage 辐照前后 3.3N 型器件栅氧电流的变化 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -5.0x10 -11 0.0 5.0x10 -11 1.0x10 -10 1.5x10 -10 2.0x10 -10 2.5x10 -10 3.0x10 -10 3.5x10 -10 I G / A V G /V 辐照前 辐照后 辐照前后 1.2N 型器件栅氧电流的变化 ? 浮空偏置的重离子试验中，我们没有观测到明显的漏电而只 是略有上升。 栅极泄露电流 实验结果 8 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 2.0x10 -5 4.0x10 -5 6.0x10 -5 8.0x10 -5 1.0x10 -4 1.2x10 -4 1.4x10 -4 1.6x10 -4 1.8x10 -4 2.0x10 -4 I G Dose/Gy I G,leakage · SiO 2 → → → → Si Poly gate → 辐射导致势垒降低 ↓ ↑ 栅压导致势垒降低 ↓ ↑ → 价带 导带 · · · 辐照前 辐照后 辐照前的能带 辐照后的能带 + + + + 辐照诱生 Qot 辐照前与不同总剂量辐照下的栅氧层漏电图与能带解释 这种偏置情况下的漏电来源不是由于栅氧层结构改变而是由于电 离能损带来的 MIS 结构能带的变化。 ? 栅氧泄露电流的主要来源是 FN 隧穿电流，该电流大小强烈依赖于能带的弯曲程度 实验结果 9 初值 辐照后 退火后 2.34 2.36 2.38 2.40 2.42 2.44 2.46 2.48 I l e a k a g e / p A 初值 辐照后 退火后 2 3 4 I l e a k a g e / p A 辐照与退火前后器件的栅极泄露电路变化趋势图（ a ） 3.3N 型（ b ） 3.3P 型 经过 100 ℃高温退火，器件的栅极泄露电流几乎恢复到了辐照前 的初始值，这说明这种潜在的损伤是可以退火的。 实验结果 10 -125 0 125 250 375 500 625 750 875 1000 10 -12 10 -11 10 -10 10 -9 10 -8 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 Q BD ， irradiated Q BD ， un-irradiated I G / A t