第1章工程材料中原子排列.pptVIP

第一章 工程材料中的原子排列;§1.1 原子键结合;§1.1.1 固体中原子的结合键;§1.1.1 固体中原子的结合键;§1.1.1 固体中原子的结合键;§1.1.1 固体中原子的结合键;§1.1.2 工程材料的分类;§1.2 原子的规则排列;§1.2.1 晶体学基础;*;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;六个柱面的指数： （10 0）、（01 0）、（1 00）、（ 010）、（0 10）、（10 0）， 可以把它们归并为{10 0}晶面族。;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.1 晶体学基础;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.2.2 晶体结构及其几何特征;§1.3 原子的不规则排列;§1.3.1 点缺陷;§1.3.1 点缺陷;§1.3.1 点缺陷;§1.3.1 点缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;位错线:已滑移区和未滑移区的边界线。 位错具有一个很重要的性质:位错线不能在晶体内部中断。它们只能或者连接晶体表面(包括晶界)，或者连接于其它位错，或者形成封闭的位错环。;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;根据虚功原理，切应力使晶体滑移所做的功应与法向“力”推动位错滑移所做的功相等。 设位错贯穿晶体长度为L,当滑移ds距离时，法向力作功为：W2= Fds。 若晶体滑移面总面积为A，位错滑移ds距离使滑移区同样增加ds距离，产生的滑移量为： 于是分切应力所作的功应为：;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;*;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;1.3.2.8 位错的增 殖、塞积与交割 (1)位错的增殖 1)机制：主要有F-R源;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;密排六方结构正常是由密排面{0001}按照ABABAB…，即 △▽△▽△…的顺序堆垛，它也可能形成堆垛层错，其层错包含有面心立方晶体的堆垛顺序。 密排六方晶体的层错也有两种类型： ①抽出型层错为…▽△▽ ▽ △ ▽ …，即…BABACAC…； ②插入型层错为…▽△▽ ▽ ▽ △ ▽ …，即BABACBCB…。 层错能:产生单位面积层错所需的能量。 形成层错时，几乎不引起点阵畸变，但却破坏了晶体的完整性和周期性，使电子发生反常的衍射效应，使晶体的能量升高。 一般来说，层错能越高，出现层错的几率就越小。;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;§1.3.2 线缺陷;离子晶体中的位错的特点: 1）滑移面未必是最密排面,柏氏