TCAD工具仿真流程及在ESD防护器件性能评价方面的.pptVIP

2020/7/18 从工艺级仿真向器件级仿真的过渡流程 从工艺级仿真向器件级仿真的过渡，主要涉及了三 类文件（除后缀名外，以下文件名均可自取）： – 版图层次 mask 文件 nmos.tl1 ， – 工艺描述文件 process ， – 器件仿真程序文件 ggNMOSa.txt ， ggNMOSb.txt （这两个 文件可以合并）。 31/65 浙大微电子 2020/7/18 第 32 页 / 共 92 页 Mask 定义 TL1 0100 1e3 0 5600 2 STI 2 0 1000 4600 5600 PWELL 1 0 5600 nmos.tl1 PW Y ( μ m ) X( μ m ) STI STI 0 1 4.6 5.6 以上语句中， TL1 0100 是文件开头标识，被工艺和器件仿 真程序所识别；第 2 行的 1e3 表示以下所出现的坐标均放大了 1000 倍，即所有坐标以 nm 为单位（默认情况下，单位为 μm ）。 2020/7/18 32/65 浙大微电子 2020/7/18 调用 mask 文件 ? 工艺仿真需要导入的 mask 文件以 .tl1 为后缀名，本例中的 mask 文件的文件名是 nmos.tl1 ，相应的描述语句是： mask in.file=nmos.tl1 ? 对工艺文件进行仿真后要导出保存的文件是工艺仿真的结果 文件，本例中是 process:0_0 ，相应的描述语句是： savefile out.file=process:0_0 tif 33/65 浙大微电子 2020/7/18 ? 但是这一格式的输出文件只被工艺仿真软件 TSUPREM-4 所 识别，其主要用于初期程序的调试。这一输出文件包含之前 的工艺仿真步骤的所有信息，可以被后续仿真所调用，调用 可以用以下语句进行： mask in.file=nmos.tl1 initialize in.file=process:0_0 tif 34/65 浙大微电子 2020/7/18 T4 到 Medici 的输出 ? 如果要进行后续的器件仿真，必须在定义完电极之后将结 果再保存为 medici 格式。电极的定义用以下格式进行： electrode x=0.5 y=-0.5 name=source ? 下面的语句实现了从 Tsuprem-4 到 Medici 的过渡： savefile out.file=ggnmos medici poly.ele elec.bot – 其中 poly.ele 指多晶硅区域在 medici 输出文件中被转 化为电极， elec.bot 指电信号会加在电极的背部。 ? 器件仿真程序文件是为电学特性设置仿真条件的。器件仿 真需要导入的程序文件是包含了前续仿真结果综合信息的 文件（本例中是 ggnmos ） , 相应的描述语句是： mesh in.file=ggnmos TSUPREM-4 y.max=5 – 其中的 y.max=5 指的是只对硅基上 5um 深度内进行网格导入。 35/65 浙大微电子 2020/7/18 半导体器件级仿真的流程 ? 待仿真器件： 栅极接地的 N 型 MOS 管 ggNMOS （ Gate Grounded NMOS ） (a) 整体版图 (b) 局部放大版图 36/65 浙大微电子 2020/7/18 仿真原理图 ? 在人体静电模型 HBM （ Human Body Model ）下，对 ESD 防护 器件进行瞬态仿真的原理 图。我们在图中电容 C 的两端加 上 6kV 的初始电压值，进行 HBM 模式下的瞬态仿真。这里 的电容（ C ）值 100pF ，电阻 （ R ） 1.5KΩ ，电感（ L ） 7500nH ，这里的 ggNMOS 就 是栅极接地的 NMOS 。 37/65 浙大微电子 2020/7/18 仿真描述语言 搭建 ESD 防护器件瞬态仿真的程序描述语句是（电路网表）： Start CIRCUIT C 1 0 100p L 1 2 7500n R 2 3 1.5k PNMOS 3=Drain 0=Gate 0=Source 0=Substrate + FILE= 特定的网格文件 WIDTH=80 $ Initial guess at circuit node voltages .NODESET V(1)=6K V(2)=0 V(3)=0 FINISH CIRCUIT 38/65 浙大微电子 2020/7/18 瞬态仿真 ggNMOS 的漏极电压、漏极电流和时间关系的描 述语句是： Method continue Solve dt=1e-11 tstop=1e-8 Plot.1d x.axi