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第 3 章 场效应管放大电路
3-1 判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
( 1)结型场效应管外加的栅 - 源电压应使栅 - 源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 RGS
大的特点。( )
(2)若耗尽型 N 沟道
MOS管的
UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(
)
3-2
选择正确答案填入空内。
(1) UGS= 0V 时,不能够工作在恒流区的场效应管有
A. 结型管 B. 增强型 MOS管
C.
B
。
耗尽型
MOS管
(2)当场效应管的漏极直流电流 I D从 2mA变为 4mA时,它的低频跨导
A. 增大 B. 不变 C. 减小
gm将
A
。
3-3 改正图 P3-3 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。
图 P3-3
解 :( a) 源 极 加 电 阻 RS。
b) 漏 极 加 电 阻 RD。
c) 输 入 端 加 耦 合 电 容 。
d) 在 Rg 支 路 加 - VGG, + VDD 改 为 - VDD
改正电路如解图 P3-3 所示。
解 图 P3-3
3-4 已 知 图 P3-4(a) 所 示 电 路 中 场 效 应 管 的 转 移 特 性 和 输 出 特 性 分 别 如 图
b ) (c) 所 示 。
1) 利 用 图 解 法 求 解 Q 点 ;( 2 ) 利 用 等 效 电 路 法 求 解 Au 、 Ri 和 Ro 。
图 P3-4
解 :( 1) 在 转 移 特 性 中 作 直 线 uGS= - i D RS , 与 转 移 特 性 的 交 点 即 为 Q 点 ; 读出 坐 标 值 , 得 出 I DQ= 1mA, UGSQ= - 2V 。 如 解 图 P3-4 ( a ) 所 示 。
解 图 P3-4
在 输 出 特 性 中 作 直 流 负 载 线 uDS = VDD- i D( RD+ RS), 与 UGS Q= - 2V 的 那 条输 出 特 性 曲 线 的 交 点 为 Q 点 , UDS Q≈ 3V 。 如 解 图 P3-4 ( b) 所 示 。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
gm
iD
2
I DSSI DQ
1mA/V
U DS
U GS(off)
uGS
Au
g m RD
5
Ri Rg 1M
Ro RD 5k
3-5 已 知 图 P3-5 ( a) 所 示 电 路 中 场 效 应 管 的 转 移 特 性 如 图 ( b ) 所 示 。 求 解
电 路 的 Q 点 和 Au 。
图 P3-5
解:(1)求 Q点:
根据电路图可知,
UGSQ= VGG= 3V。
GSQ
时的漏极电流
从转移特性查得,当 U
= 3V
I DQ= 1mA
因 此 管 压 降 UDSQ= VDD- I DQRD= 5V。
(2)求电压放大倍数:
gm
2
I DQ I DO 2 mA V
U GS(th)
Au
g m RD20
3-6 电路如图 3-6 所示,已知场效应管
的 低 频 跨 导 为 gm, 试 写 出 Au 、 Ri 和 Ro
的表达式。
图 P3-6
解 : Au 、 Ri 和 Ro 的 表 达 式 分 别 为
Au
gm (RD ∥ RL )
Ri
R3 R1∥ R2
Ro
RD
3-7 电路如图 3-7 所示。已知 VDD=12V,
,RG=100kΩ, RD=1kΩ,
场效应管 T 的 I DSS=8mA、 UGS(off) =
VGG =2V
-4V。求该管子的 I DQ及静态工作点处的
gm值。
图 P3-7
解 : I DQ =2 mA gm = 2ms
3-8 已知某种场效应管的参数为 UGS(th) =2V, U(BR)GS =30V, U (BR)DS=15V,当 UGS=4V、 UDS=5V 时,管子的 I DQ=9mA。
现用这种管子接成如图 p3-8 所示的四种电 路,电路中的 RG=100kΩ, RD1=Ω, RD2=Ω, RD3=Ω, RS=1kΩ。
试问各电路中的管子各工作于:放大、截止、可变电阻、击穿四种状态中的哪一种?
图 P3-8
解 : 先 求 场 效 应 管 的 x 值 。 由 已 知 的 U GS = 4v 时 I DQ = 9mA 及
U GS( th) = 2v , 代 人 公 式 i D
K [uGS
U GS(th ) ]2 , 可 求 得 K= / V 2 .
图 (a) 管 子 击 穿 . 图 (b) 管 子 击 穿
图 (c) 可 变 电 阻 区
图 ( d ) 放 大 区
3-9 在图 p3-9
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