汞原子同位素选择性光电离实验研究.pdfVIP

目 录 摘 要 i ABSTRACT ii 第一章 绪论 1 1.1 光学频率标准研究现状 1 1.2 汞原子同位素选择性光电离的研究意义 3 1.3 类氮元素高离化离子光钟 5 1.4 论文结构 5 第二章 光电离用激光器系统 7 2.1 外腔半导体激光器 7 2.1.1 外腔半导体激光器 7 2.1.2 外腔选模原理 8 2.1.3 光栅波长调谐原理 10 2.2 二次谐波理论概述 12 2.2.1 二次谐波产生的耦合波方程 13 2.2.2 聚焦高斯光束的倍频 15 2.2.3 相位匹配原理 19 2.3 253.7nm 紫外连续激光器倍频研究 22 2.3.1 结构设计与理论支撑 22 2.3.2 倍频腔锁腔理论 25 2.3.3 四倍频系统实物图 27 2.3.4 253.7nm 激光理论模拟与实际输出 29 2.4 194nm 深紫外连续激光 32 2.5 本章小结 33 第三章 汞离子线性阱 34 3.1 线性离子阱系统囚禁原理 34 3.2 离子囚禁及探测装置 38 3.3 本章小结 40 第四章 汞原子激光电离的研究 41 4.1 汞原子同位素选择性激发 42 4.2 激发态原子的激光电离与离子俘获 44 第 I 页 4.3 本章小结 47 第五章 类氮元素高离化离子光钟谱线计算 48 5.1 全相对论原子结构计算理论 49 5.2 计算模型优化方案 51 5.3 跃迁几率计算结果及分析 53 5.4 本章小结 57 结 束 语 59 致 谢 60 参考文献 61 作者在学期间取得的学术成果 67 第 II 页 表 目 录 表2.1 四倍频系统晶体参数 31 表5.1 计算模型结果对比表 54 4 2 表5.2 Na V S3/2- D5/2,3/2 跃迁能量对照表 55 表5.3 2p3 4S3/2-2p3 2D5/2 跃迁几率对照表 56 表5.4 2p3 4S3/2-2p3 2D3/2 跃迁几率对照表 56 表5.5 跃迁谱线品质因子 57 第 III 页 图 目 录 图2.1 Littrow 型外腔半导体激光器结构 7 图2.2 Littman 型外腔半导体激光器结构 8 图2.3 光栅外腔半导体激光器结构示意图 9 图2.4 外腔半导体激光器选模原理 10 图2.5 光栅选模原理图 11 图2.6 Littrow 型结构外腔半导体激光器连续调谐原理图 11 图2.7 Littman 型结构外腔半导体激光器连续调谐原理图 12 图2.8 光学二次谐波产生 15 图2.9 辛格函数的平方图 17 图2.10 253.7nm 紫外连续激光器实验方案图 22 图2.11 四倍频系统光路示意图 23 图2.12 第一级倍频B-K 因子与激光腰斑关系图 24 图2.13 倍频腔示意图 24 图2.14 H