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经验谈:写给新手的反激变压器KRP详解
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反激变压器 的优点自是不必多说 , 很多新手都通过反激电源的制作来熟悉电源设计
前网络上关于反激变压器的学习资料五花八门且比较零散 , 本文就将对反激变压器的设计进
行从头到尾的梳理 , 将零散的知识进行整合 , 并配上相应的分析,帮助大家尽快掌握。
, 目
今天将进行一个较为完整的分析, KR P 作为反激变压器中的灵魂参数,该如何对其进行取舍,值得我们深入探讨。
首先先对文章当中的将要提到的一些名词进行解释。
工作模式 : 即电感电流工作状态,一般分 DCM、 CCM、 BCM三种 ( 定性分析 ) 。
KRP:描述电感电流工作状态的一个量 ( 定量计算 ) ;
KR P 定义:
KRP的意义 : 只要原边电感电流处于连续状态 , 都称之为C CM模式。而深度 CCM模式 ( 较
小纹波电流 ) 与浅度CCM模式 ( 较大纹波电流 ) 相比较,电感量相差好几倍 , 而浅度 CCM模式
与 BCM、 DCM模式的各种性能、特点可能更为相似。显然需要一个合适的参数来描述所有电感电流的工作状态。通过设置 KRP值 , 可以把变压器的电感电流状态与磁性材料、环路特性等紧密联系起来。我们也可以更加合理的评估产品设计方案,例如:
KR P 较大时(特别是 DCM模式 ) ,磁芯损耗一般较大 (NP 较小 ), 气隙较小(无气隙要求,仅满足 LP 值 ) , LP 较小,漏感会较大 , 纹波电流较大(电流有效值较高 );
KRP较小时(特别是深度 CC M模式 ), 磁芯损耗一般较小 (NP 较大) , 气隙较大 ( 有气隙要求 , 平衡直流磁通),L P 较大 , 漏感会较小,纹波电流较小 ( 电流有效值较低 );
注: K RP较小时 , 气隙也是可以做到较小,但这需要更大的磁芯和技巧;
KRP较大时 , 磁芯损耗也是可以做的较小,但这同样需要更大的磁芯和技巧 ;
这里说一点题外话,大部分人通常认为,相同磁芯、开关频率 , D MAX,DCM模式比 CC M
模式下的输出功率更大 ; 其实这是不完全对的 (至少不符合实际 , 因为需要限制 DMAX,导致空
载容易异常 ) ,原因在于DC M 模式下磁芯损耗会超出你的想象(电应力也会如此 );DC M模
式下 , 如果想大幅度降低磁芯损耗, 唯一的方法是增大 NP, 而过大的N P 会与 LP 形成现实冲
突(DCM模式下, LP 一般较小 ), 造成磁芯气隙超出你的想象 ( 漏感也会如此) ; 有没有方法解
决这种现实矛盾?答案应该是肯定的,即选择合适的磁芯结构,如长宽比小且AE大的磁芯
(PQ、POT系列) , 或许会比长宽比大且A E 小的磁芯 (EER、 EEL系列 ) 更加有优势。 ( 补充:
在D CM模式下 , 如果限制D MAX,则会比 CC M模式下输出更大的功率 )
KRP 较大时 , 增大 DMAX可以在一定程度上降低原边的纹波电流及有效电流值 , 但是次
级的电流应力会更加恶劣,这种方法 ( 增大 / 减小 DMA X)只适合平衡初次级的电压、电流应
力,应该不是一种很好的设计手段。
KRP较大时,空载启动困难, 特别是低压大电流输出 , 且空载无跳频 ( 宽范围AC输入时尤其如此 , 如3 . 3 V10 A, 特别是超低压输入 ) ;
KRP较小时 , 开关损耗较大 , 特别是高压小电流输出 , 且开关频率较高 ( 窄范围 AC输入时尤其如此 , 如1 00 V0.5 A,特别是超高压输入 ) ;
注: 非低压大电流产品 ( 如12 V5A),KRP 较大时, DMAX不能设计的过小 , 否则空载也会启动困难,且空载无跳频 ( 宽范围 AC输入时尤其如此);
超低压输入产品 ( 如 12V输入 ),KRP 应该较小,且开关频率也不能过高 , 否则 LP 过小 ( 漏感过大 ) 无法正常工作 ( 或者效率极低 ) 。
KR P 较大时 , 动态响应较快,环路补偿比较容易 ( 特别是采用电流模式控制 ) ;
KRP较小时,动态响应较慢,环路补偿相对困难 ( 特别是采用电压模式控制 ) ;
KR P 较大时,电感电流斜率较急 ,CS 采样端对噪声影响不明显 ;
KRP较小时 , 电感电流斜率较缓,C S 采样端可能会受到噪声影响 ;
注:电流模式芯片通常会比电压模式控制芯片的性能更加优异,但并非所有情况下都
是如此。 如果输入电压较高, 输出功率较小, 电流模式芯片可能无法检测
CS电压 , 低压大电
流输出产品在空载时也会出现这种情况
( 再次
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