冷烧结硼酸镁陶瓷及其微波介电性能研究.pdf

摘要 摘 要 微波介质陶瓷是一种近些年来迅速发展的功能陶瓷。微波介质陶瓷所制作的 滤波器、谐振器、介质基板等微波元器件被广泛应用于移动通讯和军事雷达等方 面。随着二十一世纪微波通讯技术的发展，对通讯终端也提出了更高的要求，要 求其向小型化、集成化、低成本化发展。为满足这些要求，一种名为冷烧结的陶 瓷烧结技术被开发出来，其能够在低于 200 ℃的条件下制备出微波元器件而成为 近年来的研究热点。 Mg B O 陶瓷的介电常数(ε )较低、品质因数较高，是一种具有较高应用潜力 3 2 6 r 的介质基板材料，但是其高达1300℃的烧结温度限制了其应用。在系统考察Mg/B 比例和粉体处理工艺对 Mg B O 陶瓷物相组成及介电性能的影响规律的基础上， 3 2 6 采用Mg2+位Sr2+取代意图提高Mg B O 陶瓷的介电性能；在广泛考察溶剂种类及 3 2 6 用量对Mg B O 陶瓷性能的基础上，采用冷烧结工艺成功制备了Mg B O 基复合 3 2 6 3 2 6 陶瓷并研究了工艺参数对所得陶瓷样品的介电性能的影响规律。所得结论如下： 1．当Mg/B 比例为1.2:1 时，采用MgO 与H BO 为原料经1100℃煅烧3h 可 3 3 以获得单相的Mg B O 陶瓷粉体，经二次球磨并 1250℃烧结3h 得到的Mg B O 3 2 6 3 2 6 陶瓷介电性能最佳，其微波介电性能为：ε =7 、Q×f =77000 GHz 、τ =-28.1 ppm/ ℃。 r f 2 ．少量的Sr2+掺杂能够增加Mg B O 陶瓷的微波介电性能，当Sr2+掺杂量为 3 2 6 0.2 mol.%时，经1200℃烧结3h 的(Mg Sr ) B O 陶瓷的品质因数最高，其相 0.998 0.002 3 2 6 应介电性能为：ε =6.85 、Q×f =110000 GHz 、τ =-32.4 ppm/ ℃。 r f 3 ．当采用冷烧结工艺制备单相 Mg B O 陶瓷时，硝酸、盐酸等作为溶剂均 3 2 6 不大合适，而采用冰乙酸和饱和硼酸溶液作为溶剂可得到相对致密的Mg B O 陶 3 2 6 瓷。以冰乙酸为溶剂并在合适的冷烧结参数下制备的Mg B O 陶瓷的介电性能为：