【国自然】高性能LED制造与装备中的关键基础问题研究.docxVIP

项目名称： 高功用LED制作与配备中的要害根底问题研讨 首席科学家： 刘岩 深圳清华大学研讨院 起止年限： 2011.11-2016.8 依托部分： 深圳市科技工贸和信息华委员会 一、要害科学问题及研讨内容 本项目以高光效、高牢靠性、大功率、低本钱LED制作和配备所面对的五个要害技能应战为打破口，环绕以下三个重要科学问题打开研讨，打破LED工业链上、中、下流要害制作环节中的瓶颈。 科学问题一 大标准LED晶圆制作中影响光效、光衰的首要缺点构成机理及按捺。 跟着LED芯片制作向大标准衬底晶圆、低缺点密度、高光效方向展开，对衬底平整化、外延成长、芯片制作技能及相关配备提出了一系列应战。例如，大标准晶圆衬底外表有必要高质量平整化，不然其缺点将延伸到外延层，直接影响外延层的质量。别的，因为晶圆标准增大，导致衬底制备和外延成长中晶圆翘曲，缺点愈加严峻，导致量子功率下降。这些缺点会直接影响光效、光衰。怎么按捺缺点、进步量子功率是大功率LED制作的要害问题。其间的技能难点包含：大标准同质衬底生成进程中的缺点操控，MOCVD外延中的缺点按捺和量子功率调控，超硬衬底资料外表原子级平整化中的缺点操控。 需求处理的科学问题具体内涵包含：非均匀场和微扰动对衬底和外延层成长动力学进程的影响规则及与缺点发生的联络，和难加工衬底资料原子级平整化中的界面行为及缺点操控原理。需求研讨用于大标准GaN同质衬底制备的HVPE反响腔和用于大标准晶圆外延的MOCVD反响腔的规划办法，以完结反响腔内气体的均匀分散和混合，温度场的均匀操控，坚持层流和均匀的化学反响速率，晶体成长进程中不同堆积速率与反响物质流量操控的准确匹配，以满意外延成长中的波长共同性（差错≤±5nm）、厚度和组分均匀性（差错≤5％）等要求；研讨超硬难加工衬底资料外表原子级平整化（外表粗糙度Ra0.1 nm）和高效去除（去除速率大于6 μm/h）办法，处理衬底资料的平整化难题。 针对这些难点，设置三方面研讨内容： 大标准同质衬底生成及缺点操控原理与配备完结树立适用于HVPE快速成长非平衡态体系的热力学进程和动力学成长模型，考虑化学反响及反响副产物等动力学要素，并运用此模型对外延膜外表的形核、长大及聚结进行深入剖析；在反响腔标准扩大条件下，进行流场温度场均匀性规划，完结GaN厚膜厚度均匀性和晶体质量均匀性操控；研讨自支撑GaN厚膜HVPE的成长动力学特性，探究晶格失配、热失配、形核与聚结等对厚膜应力生成和堆集的影响规则，寻觅下降或阻断应力和缺点生成的办法，树立三维应力模型；为处理晶体成长进程中不同堆积速率与反响腔喷头、流量操控精度的匹配，削减多作业点不匹配构成的缺点增多问题，构建由高温工艺腔联接的多腔分步反响腔体系，以高功率批量获得高质量GaN衬底。拟研讨以下五部分内容： （1）HVPE成长非平衡态体系的动力学成长模型及三维应力模型； （2）反响腔标准扩大条件下的均匀流场温度场规划； （3）GaN厚膜厚度均匀性和晶体质量均匀性操控理论； （4）应力和缺点生成机理及其下降或阻断的办法； （5）多腔分步HVPE原理、设备及工艺完结。 超硬衬底低缺点、高效去除平整化新原理与配备完结 现在，为了进步LED发光功率，下降本钱，对蓝宝石、SiC及GaN等LED衬底资料外表平整度、粗糙度以及资料去除速率等提出了更高的要求，其间对外表粗糙度的要求更是接近了物理极限值，对难加工衬底资料外表平整化提出应战。针对LED衬底晶圆平整化，引进极小纳米粒子与触摸催化原理相结合的思路，经过探究平整化中晶圆外表资料的触摸催化行为、资料去除机制与平整化原理，完结难加工资料快速去除和高效平整化；隔阂，经过探究极小纳米粒子行为、粒子粒度改变进程中资料去除机制的演化规则、平整化进程中原子级去除机制，下降微缺点，完结近极限润滑外表制作。拟研讨以下五部分内容： （1）依据触摸催化原理的高效平整化办法； （2）超硬难加工衬底资料的原子标准去除机制； （3）平整化中界面行为与损害操控； （4）依据催化原理的平整化原理设备及工艺完结； （5）探究GaN衬底制备中的外表平整化原理。 3）MOCVD新式反响腔规划、LED缺点按捺和量子功率调控 针对220 lm/W发光功率、6吋及以上外延晶圆的跨标准（宏－微－纳－亚纳米）制作技能和MOCVD中心配备，探究多场（流场、温度场、化学场、浓度场等）耦合下反响腔的几许结构和气体输运办法与工艺参数的联络，以处理外延成长中膜厚和组分均匀性、波长共同性和成长可重复性难题，探究出大标准多片晶圆MOCVD反响腔规划新原理。提醒大标准晶圆外延成长中缺点构成与按捺机理，树立外延成长缺点与LED内量子功率的本构联络及芯片制作中的缺点(如晶圆剥离损害、裂纹、翘曲、键合界面的空泛等)与LED出光功率的本构