激光和固体的量子理论.pptVIP

2021/2/6 * 解: 上例中,半导体 Cd S（硫化镉）激发电子, 光波的波长最大多长? 2021/2/6 * 二、杂质半导体 １、 n型半导体 四价的本征半导体 Si（硅）、Ｇｅ（锗）等,掺入少量五价的杂质元素,如P（磷）、As（砷）等 形成电子型半导体, 称 n 型半导体。 量子力学表明,这种掺杂后多余的电子的 能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV, 极易形成电子导电。 该能级称为施主能级 2021/2/6 * n 型半导体 在n型半导体中 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 2021/2/6 * ２、p 型半导体 四价的本征半导体Si（硅）、Ｇe（锗）等, 掺入少量三价的杂质元素,如Ｂ（硼）、 Ga（镓）、Ｉn（铟）等形成空穴型半导体, 称 p 型半导体。 量子力学表明,这种掺杂后多余的空穴的 能级在禁带中紧靠满带处,?ED～10-2eV, 极易产生空穴导电。 该能级称受主能级 2021/2/6 * 空 带 ED 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 在p型半导体中 空穴……多数载流子 电子……少数载流子 2021/2/6 * 3、n型化合物半导体 例如,化合物GaAs（砷化镓）中掺Ｔｅ（碲） ,六价的Te替代五价的As可形成施主能级, 成为n型GaAs杂质半导体。 4、ｐ型化合物半导体 例如,化合物 GaAs中掺Zn（锌）,二价的Zn 替代三价的Ga（镓）可形成受主能级, 成为p型GaAs杂质半导体。 问题: 现有硅（Si）、硼（B）、磷（P）元素,预制成多数载流子为电子的半导体材料,如何制得? 2021/2/6 * 三. 杂质补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd）, 又有受主杂质（浓度na）, 两种杂质有补偿作用: 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用, 可以制成PＮ结。 2021/2/6 * 五、pn结 1、pn结的形成 在一块 n 型半导体基片的一侧掺入 较高浓度的受主杂质,由于杂质的 补偿作用,该区就成为ｐ型半导体。 由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散,Ｐ区的 空穴向Ｎ区扩散,在ｐ型半导体和Ｎ 型半导体的交界面附近产生了一个电 场,称为内建场。 2021/2/6 * 内建场大到一定 程度,不再有净电 荷的流动,达到 了新的平衡。 在ｐ型 n型交界面 附近形成的这种特 殊结构称为PN结, 约0.1?m厚。 pn结 n型 p型 内建场阻止电子 和空穴进一步扩 散，记作 。 2021/2/6 * pn结处存在电势差Uo 也阻止 N区 带负电的电子进 一步向P区扩散。 它阻止 P区 带正电的空穴进 一步向N区扩散; U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 pn结 2021/2/6 * 空带 空带 pn结 施主能级 受主能级 满带 满带 考虑到PＮ结的存在, 半导体中电子的能量 应考虑进这内建场带 来的电子附加势能。 电子的能带 出现弯曲现象。 2021/2/6 * 2、pn结的单向导电性 (1) 正向偏压 在pn结 的p型区接 电源正极, 叫正向偏压。 阻挡层势垒被削弱、变窄,有利于空穴 向n区运动,电子向p区运动, 形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I 2021/2/6 * 外加正向电压越大, 正向电流也越大, 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。 V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I 2021/2/6 * (2) 反向偏压 在pn结的ｐ型区接电源负极, 叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽,不利于空穴向Ｎ区运动,也不利于电子向P区运动,没有正向电流。 p型 n型 I 2021/2/6 * 但是,由于少数 载流子的存在, 会形成很弱的反 向电流, 当外电场很强,反向电压超过某一数值后, 反向电流会急剧增大----反向击穿。 称为漏电流 （?Ａ级）。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 利用PN结可以做成具有整流、开关等作用的晶体二极管。 作业:14.5、14.6、14.8、14.12 2021/2/6 * 刻制光栅等 绘制集成电路图 如芯片电路的准确分割 切割(连续打孔): 调节精密电阻 ★ 测量: 准直、测距等 ★ 医疗: 激光手术刀 血管内窥镜 治癌等 ★ 军事: 激光制导 激光炮等 ★ 核技术: 激