基于ARM微处理器的直流系统接地故障检测装置的设计与实现 图.docxVIP

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  • 2021-04-03 发布于天津
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基于ARM微处理器的直流系统接地故障检测装置的设计与实现 图.docx

3 3 基于AR M微处理器的直流系统接地故障检测装置的设计与实现 低压电器 (2005 M 2 Q 第一作者:李冬辉 (1962-,男,副教 授,博士,主要从事电力电子应用、计算机控制、楼宇自动化等方 面的研究。 基于AR M微处理器的直流系统 接地故障检测装置的设计与实现 李冬辉 李冬辉,周巍巍 (天津大学,天津 300072 0 0引言 摘要:以往的直流系统接地故障检测装置大都是基于单片机设计的 ,限制了 先进算法的使用,不能有效地解决直流系统大电容接地和环网影响等问题 。针对 这种情况,在详细介绍基于AR M7T DM I内核的S3C44B0X芯片的结构、片上 资源和功能的基 础上,提出了基于AR M的直流系统接地故障检测装置的设计方 案,实现了基于小波变换的检测方法。经验证,该设计方案能够有效地解决原有 问题。 关键词:直流系统;嵌入式系统;微处理器;接地故障;算法 中图分类号:TP 274 文献标识码:A 文章编号:100125531(2005 0220055204 D esi gn and I m pie m en t of DC System Ground i n g Fault D etecti n g D ev i ce Ba sed L I D ong 2w for gr ounding fault detect ing devices were mostly desig ned based on SC M , which li m the using of adva need algorith m. So they could n t s olve the p r oble m s of big gr ounding capacitance and ring net in DC syste m. For this, after expatiating the structure, res ources on chi p and functi ons of S3C44B0X based on AR M7T DM I CP U core, a desig n of DC syste m gr ounding fault ing detect ing device based on AR M m icr op r o 2sses or was p rese nted, where the detect ing method based on wavelet was realized . The experi m ents p r ove that the desig n can s olve those p r oble m s effectively . Key words:DC syste m; e m bedded system; m i croprossesor; ground i n g fault ; a lgor ith m 3基金项目:天津市自然科学基金资助项目(033601511 (7 (7 55 55 发电厂、变电站的直流系统是操作系统和保 护装置的电源,对于保障电力系 统安全运行是十 分重要的。当直流系统发生一点接地时,应能及时找出和处理。 目前,国内外基于单片机的绝缘 监视装置大多是基于平衡电桥法、低频信号注入 法等方法研制的,但若要解决直流系统大电容接 地和环网影响等问题,则需要采用 更为先进的处理方法,如基于小波变换的检测方法 [1] ,而单片 机有限的资源限制了这类方法的使用。 本文试图通过采用AR M微处理器进行直流系统接地故障检测装置的设计, 并在该装置中实 现基于小波变换的检测方法解决直流系统大电容 接地和环网影响等问题。 ARM微处理器S3C44B0X 考虑到设计应用的性能需要,选用了 Sa m 2 sung公司的S3C44B0X微处理器。S3C44B0X采用0. 25卩m C MO工艺和 总线结构S AMBA II (Sa 2m sung ARM CP U嵌入式控制器总线结 构,其CP U核 采用AR M公司的AR M7T DM I R I SC 结构, 特别适合于低成本、低功耗应用。AR M7T DM I系统扩充包括Thumb协处 理器、片上I CE中断调试 支持和32bit乘法器。S3C44B0X通过在AR M7T DM I内容基础上扩展了一系列完整的通 用外围器件。S3C44B0X带有如下器件: (1 8个Me mory Banks。用于管理外部存储 低压电器(2005M 2基于AR M微处理器的直流系统接地故障检测装置的设计 与实现 器,最大存储容量达到256MB。可外扩EPROM、S DRAM、Flash、US B 和LCD。每个Bank支持8/ 16/32b

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