[工艺]etchprocess的大师级讲解.docxVIP

［ ［工艺］ETCH p rocess 的大师级讲解 编者注 : Etch 是 PIE 不得不好好学习的课程，玄机太多 了。我曾经花太多时间研究这玩意，结果连皮毛都碰不上， 每次跟人家讨论还是云里雾里感谢 每次跟人家讨论还是云里雾里 感谢 Joph Chen ，曾经的 ETCH 专家。如果把黄光比作是拍照，那他就是完成了底片 的功能，还需要蚀刻来帮忙把底片的图像转移到Wafer 的功能，还需要蚀刻来帮忙把底片的图像转移到 Wafer 上。 蚀刻通常分为 Wet Etch（ 湿蚀刻 ）和 Dry Etch （ 干蚀刻 ），湿蚀 刻主要各向同性蚀刻 （Isotropic） ，所以 profile 是横向等于纵 向，但是 througput 比较快，选择比高，而且陈本低。我们 在 8 寸制程的湿蚀刻都是用来做 strip ，只有 dual gate etch 或者 Silicide 前面的 RPO 的 Dry+Wet 。这两个都是尺寸比 较大，而且不能直接用 plasma 轰击 Si 。而干蚀刻主要用 plasma 离化反应气体 (RIE: Reactived Ionized Etch) ，与被 蚀刻物质反应成气态副产物被抽走 （反应副产物一定的是气 体，所以 Cu 制程无法用蚀刻。 ），主要用来吃小 pattern 的， 因为他的各向异性 （Anisotropic） 优点，但是他的制程复杂， tune recipe factor 非常困难，价格昂贵。需要澄清一点，干 蚀刻的 anisotropic 的各项异性， 不是指他吃的时候侧边就不 会吃，是因为 process 会产生一种叫做 polymer 的物质，保 护在侧壁使得侧边不会被吃掉。 polymer 的形成主要靠 F-C 比（氟 -碳比 ），来控制 polymer 多少来进一步控制 profile F-base 的比例比 C-base 的比例多还是少？) 蚀刻制程必 须了解 plasma ，啥是 plasma ？说白了就是一群被充电了的 准中性气体(类似闪电) ，其实就是一锅等离子汤 (电浆 )。在 这锅汤里有电子 (elctrons) 的雪崩碰撞 (Avalanche) 用于产生 如 Ar+ e和维持等离子体汤， 碰撞产生的离子 Ions 在电场的作用下撞 击 (bombardment) 如 Ar+ e --Ar* or Ar+ 和两个电子，而另一部分被离化的 ions 可以 作为化学反应气体，与被蚀刻物质发生化学反应产生气态副 产物达到化学蚀刻的目的 (如 CF4+e--CFx[+] + Fx[-] + e, F[-]+Si--SiFx(g) ) 。等离子体是会发光的哦，因为被激发的 电子会再与周边的离子复合 (Recombination) 回到电中性过 程中必须以光的形式释放能量 (Light Emission) 。而且各种不 同能级的等离子体光波长是不一样的，所以颜色也会不一样， 这样很容易用来做制程诊断 (diagnostics) 或者做 process 的 结束信号探测 (End-Point detection). 另外 plasma 里面还有 个名词叫做“ sheath ” or “ dark space ”，主要是因为电子放电 结束产生的黑暗区域，因为电子比离子跑得快，所以有一段 距离的电子还没来得及与离子复合就跑出去了到后面才开 始复合产生放电发光效应，而在开始那里还没来得及复合没 有光的区域就是 sheath ，主要靠电场大小来 balance 。这里 咱不是专业就不深入讲解了。 Plasma 理论讲完了，就该讲 硬件上怎么生成 plasma 了，早期的 plasma ，都是 CCP (Capacitive-Coupled Plasma) (Capacitive-Coupled Plasma) ，两个电极板中间充气体加电 压(是不是很像日光灯管？其实就是 )。后来因为 uniformity 太差，在旁边加了个磁场通过洛伦磁力来改善他的电场收敛 性提高了均匀性，这就是后来的 MERIE (Magnetically Enhanced RIE) 。但是他们的缺点是没有办法控制 plamsa 的密度和轰击 (bombardment) 强度，为了解决这个问题又发 展到 Dual source CCP system ，用两个独立的 source 去 decouple plasma density 和 bombardment 。一个 source 叫 做 HF (Hi-Frequency) source 用来控制 plasma density ， 个叫做 LF (Low-Freqency) source 用来控制 Bombardment 。 半导体发展不可能只停