PCM电路基本知识要点计划.docxVIP

精品文档 精品文档 PAGE PAGE15 精品文档 PAGE 锂离子电池保护电路基本知识问答 1．什么是锂离子电池保护 ic？ 答：在锂离子电池使用过程中，过充电、过放电对锂电池的电性能都会造成一定的影响，为防止使用中出现这种现象，特意设计了一套电路，并用微电子技术把它小型化，成为一 个芯片，该芯片俗称锂电池保护 ic。 2．保护ic外形是什么样的？ 答：保护 ic外形常用的有两种： 一种称为 SOT-23-5封装。 另一种较薄,称TSSOP-8封装。 1 1.1 3．Ic内部有些什么电路，能大体介绍一下吗？ 答：ic内部的简化的逻辑图如下： 过电流 过充电 检测 VDD 压检测 VM 短路检 过放电 测 压检测 延时电路 VSS DO CO 其各个端口的功能简述如下： VDD： 1。IC芯片电源输入端。 VSS： DO： CO： VM：  2．锂电池电压采样点。 1。IC芯片测量电路基准参照点。 2．锂电池负极和 IC连结点。 IC对放电MOS管的输出控制端 IC对充电MOS管的输出控制端 IC芯片对锂电池工作电流的采样输入端 2 从简化的逻辑图可见：电池过充电、过放电，放电时电流过大（过电流） ，外围电路短 路，该ic都会检测出来，并驱动相应的电子器件动作。 4．Ic有哪些主要技术指标？ 答：1）过充电检测电压： VCU 4.275±25mv （4.25 4.275 4.30） 2）过充电恢复电压： VCL 4.175±30mv （4.145 4.1754.205） 3) 过放电检测电压： VDL 2.3±80mv (2.22 2.3 2.38 ） 4) 过放电恢复电压： VDU 2.4±0.1mv (2.3 2.42.5 ) 5) 过电流检测电压： VIOV1 0.1±30mv (0.07V 0.1 0.13V) VIOV2 0.5±0.1mv (0.4 0.5 0.6) 6) 短路检测电压： VSHORT -1.3V (-1.7 -1.3 -0.6 ) 7) 过充电检测延时： tcu 1s （0.5 12 ） 8) 过放电检测延时 ：tdl 125ms （62.5 125 250 ） 9) 过流延时： TioV1 8ms （4 8 16 ） TioV2 2ms （1 2 4 ） 10）短路延时： Tshort 10us （10 50us） 11）正常功耗： 10PE 3uA （1 3 6uA） 12）静电功耗： 1PDN 0.1uA 5．锂电池保护电路的PCB板上，除了保护ic外，还需要哪些元件，才能组成一个完整的保护PCB？ 答：还需要作为开关功能用的两只场效应管、若干电阻、电容。 6．场效应管是什么样子？ 答：场效应管也称MOSFET，在锂电池保护PCB上，都是成对使用，因此制造商把两只独立的MOSFET封装在一同，其外形往常也有两种： 一种是SOP-8封装。见下列图： 3 其内部接法如下列图： 另一种封装较薄 ,称TSSOP-8。 其内部接法如下： 7．MOSFET 在电路中起什么作用？它是怎样工作的？ 答：MOSFET往常有三只脚，分别称为漏极D、源极S、栅极G。它在电子线路中的功能可用下列图简单说明。 4 D 简言之，MOSFET 在电子电路中可把它看作是一只特殊的开关。当栅极 G得到了一个 高电平，右图的开关就闭合；电流在 D.S之间经过。当栅极 G得到的不是高电平，而是 低电平，则 D.S之间开关看作开路，电流不能经过。 8．常听人说 MOSFET 的内阻是多少、多少，到底什么是 MOSFET 的内阻？ 答：如上图所示，D.S之间的开封闭合时总存在一定的电阻， 这个电阻相当于 MOSFET 的内阻，一般这个电阻很小，都在 10~30mΩ之间。可见，电流经过 MOSFET，由于存在内 阻，根据欧姆定律，必定存在电压降，进而损耗掉一部份电能，可见 MOSFET 的内阻应越 小越好。 9．除内阻外，MOS管还有哪些主要技术指标？ 答：MOS管有以下主要技术指标： 1）漏源极耐压值： VDSS 20V 2）漏栅极耐压值： VDGR 20V 3）栅源极耐压值： VGSS 12V 4）漏极最大电流ID DC 6A Polse 24A 5）漏源极内阻RDS VGS 2V ID3A 22mΩ——45mΩ VGS 2.5V ID3A 19mΩ——30mΩ VGS 4V ID3A 16mΩ——20mΩ 10．你能较完整地介绍一下保护 PCB的工作原理吗？ 答：保护 PCB的完整电原理图如下： 5 IC Ω DO CO 电池电压 1S VCU(4.275V) VCL(4.175V) 过 充 电 状 态 VDU(2.4V) VDL(2.3V) IC工作状态 （3UA）  充电器接入 过放电状态 125ms T IC休眠状态