20N50A-220-247中文规格书广东奥科半导体.pdf免费

N-CHANNEL MOSFET 20N50A 20A 500V N沟道增强型场效应管 主要参数： ID 20A G.栅极D.漏极S.源极 VDSS 500V RDSON-typ(@VGS =10V) 0.21Ω 性能特点： 开关速度快 低导通电阻 低反向传输电容 低栅极电荷量  100%单脉冲雪崩能量测试 提升了dv/dt能力 机械性能： 注塑成型封装 适用任何位置安装 封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准 加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于10s 封装形式: TO-220F, TO-247, TO-247S 产品规格分类： 产品料号 封装形式 产品印字 包装方式 AK20N50A8 TO-220F(1.3mm) 20N50AF 50PCS每管 AK20N50A6 TO-247 20N50AP 30PCS每管 AK20N50A7 TO-247S 20N50APS 30PCS每盘 1 / 6 Guang Dong akmosfet Co., LTD. N-CHANNEL MOSFET 20N50A 极限参数:(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参数名称 符号 单位 220F 247/247S 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流-持续 ID 20 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM 80 A 耗散功率 PD 45 230 W 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 1200 mJ 工作结温范围