第三讲体硅加工.docxVIP

精选文库 精选文库 PAGE PAGE # 精选文库 精选文库 PAGE PAGE # 第四讲：体硅加工一一1 多晶硅有很多优点，也有非常系统深入的研究积累，但是， 人们经常费力地刻蚀单晶硅以获得硅膜： 选择单晶硅作为 MEMS的结构材料的主要因素： 基于IC技术的基础，硅提供了集成制造的可能性 对单晶硅各种性质特别是物理特性的研究非常透彻 硅相关的技术和设备可以借用 IC工业的积累 没有那一种高纯度的单晶材料能够拥有像硅材料这样 高的性价比，并且可以大批量廉价提供。 单晶硅的许多重要特性非常适合作为微结构材料。 除了 精细结构成型加工特性之外，它的机械特性、压阻效应、 结构稳定性等也是吸引人的优点 600度以下不会蠕变，除非破裂，否则会回复固有形状。 硅的物理特性 单晶晶体结构 立方晶体，金刚石结构 比重 2.3g/cm2 断裂强度 lOOOMpa 屈服强度 100-200Mpa 弹性模量 160Gpa 压阻系数 -120 ?120 热导率 150WM/K 热膨胀系数 2.5x10-6/k 关于脆裂(breaking ),由于单晶硅晶体的完整性， 一旦有任 何细微裂纹产生，就没有制约的因素存在(比如晶界) ，在 张力作用下迅速扩展，故单晶硅的断裂是它的缺点之一。 因此，即使是表面细微的损伤也会显著改变断裂强度的测试 结果。 硅的压阻系数与多种因素有关，主要有掺杂水平、温度、晶 格取向和电流相对于张力的走向， 系数可以在+ 120到一120 之间变化，一般金属该数值约为 2。 压阻效应相当灵敏，成为许多物理传感器检测信号的基础。 热传导系数与一般金属相当，考虑到微结构一般尺寸比较 小，多数情况下足以承担散热的重任。 为什么还要研究硅的微机械加工技术？ 半导体工艺虽然对硅相关的基本性质和微细加工技术已经 有了透彻的认识，但是与MEMS的要求尚有比较大的差距， 主要表现在纵身方向大加工深度上，在半导体工艺中，即使 是最深的隔离工艺，其加工深度也不会超过 10微米，绝大 多数在1微米之内，但是 MEMS结构很多情况下加工深度 与宽度相仿，相当一部分要求高深宽比结构，而且这些结构 还要沟通不同的结构层次，是半导体加工难以实现的，所以 必须开展针对性的研究。 体硅加工的本质就是有选择地去掉部分硅材料， 使留下的硅 结构满足器件构造的需求 体硅加工的硅微结构，基本的形式有以下几种: LSOTROPIC XX VI 1 I : T1OV 各向同性刻蚀 1MC) I WF4 F A；1 l.Vl KJX ANISIJLROPIC U K I KK HIM(!?!] SLRI-ACE 各向异性刻蚀 各向异性刻蚀 AW1SOTK-QP1C WET ETCHING? (I1Q) SVHbACb Rip Viow Side View I I □) S^rTucc Orientation Ctsncas e Convex Corner ;lOn^ Surf*u：b： OzicniuiiciF i Carn M.iskjrt Lilm Burkd Elh Ship L^yer SurUi-LOncrnfJiaTi Divkccrit I..JVCF Maakinf h\T (d］ riiffiKFrl Silkirn dil-v d JMd J4 J il J** J #rid J 鼻*si #-* h Hih h DLURLUaH i E［血］ Feature 1 1 - ■ VB FPII4 FN11 ill r ?■ rra r rai ” jsi ra ffbi m i sri Side View 梁 梁 实现上述结构的体硅加工技术主要有三种工艺路线： 湿法刻蚀、表面微机械多孔硅技术和干法刻蚀，还有一些辅 助技术也是必须的，如掩膜突角补偿技术、电化学控制刻蚀、 SOI衬底技术等，无论采用哪一种工艺路线，借助掩膜实现 选择性是一样的，因此，关于硅刻蚀，下面一些问题是共性 的：掩膜图形设计（包括可能的凸角补偿、底切量预置等） 掩膜材料的选择、掩膜薄膜图形化技术、 刻蚀反应的选择性、 各向异性、终止层（面）、掩膜材料清除、精细结构脱水或 者表面修饰等，它们针对不同的体系有不同的解决方案，也 有一些惯例可以借鉴，下面将结合用途逐一加以简单介绍： 湿法刻蚀 湿法刻蚀分为各向同性和各向异性刻蚀两类 其中各向同性刻蚀主要以含氧化性添加剂的氢氟酸为酸性 刻蚀剂，各向异性以各类强碱性溶液为主，其中又以 KOH、 THAM、EDP等为最常用。 各向同性刻蚀 各向同性刻蚀完全依赖掩膜图形产生选择性， 刻蚀速率没有 晶面选择性，预示它的刻蚀反应机制与碱性溶液有本质不 同，无法得到精确的横向尺寸控制效果，也只在很少数情况 下可以实现掺杂控制，所