半导体中的光吸收和光探测器.pptx

半导体中的光吸收和光探测器 ;1 半导体中的光吸收理论(lǐlùn) 2 半导体中的本征吸收和其他光吸收 3 半导体光电探测器的材料和性能参数 4 半导体光电探测器;半导体中的光吸收和光探测(tàncè);(1) 光吸收系数： 半导体吸收光的机理(jī lǐ)主要有带间跃迁吸收（本征吸收）、载流子吸收、晶格振动吸收等。吸收光的强弱常常采用描述光在半导体中衰减快慢的参量——吸收系数α来表示；若入射光强为I，光进入半导体中的距离为x，则定义： ???????????????????????? ? 吸收系数的单位是cm-1。;(2) 带间光吸收谱曲线的特点： 对于Si和GaAs的带间跃迁的光吸收，测得其吸收系数a与光子能量hv的关系如图1所示。这种带间光吸收谱曲线的特点是： ① 吸收系数随光子能量而上升； ② 各种半导体都存在一个吸收光子能量的下限（或者(huòzhě)光吸收长波限——截止波长），并且该能量下限随着温度的升高而减小（即截止波长增长）； ③ GaAs的光吸收谱曲线比Si的陡峭。;第六页，共72页。; 为什么半导体的带间光吸收谱曲线具有(jùyǒu)以上一些特点呢？ ——与半导体的能带结构有关。; 在价带和导带中的能态密度分布较复杂, 在自由电子、球形等能面近似下，能态密度与能量是亚抛物线关系，在价带顶和导带底附近的能态密度一般都很小，因此，发生在价带顶和导带底附近之间跃迁的吸收系数也就都很小；随着能量的升高，能态密度增大(zēnɡ dà)，故吸收系数就相应地增大(zēnɡ dà)，从而使得吸收谱曲线随光子能量而上升。; 但是由于实际(shíjì)半导体能带中能态密度分布函数的复杂性，而且电子吸收光的跃迁还必须符合量子力学的跃迁规则——k选择定则，所以就导致半导体光吸收谱曲线变得很复杂，可能会出现如图1所示的台阶和多个峰值或谷值。; ② 因为价电子要能够从价带跃迁到导带，至少应该(yīnggāi)吸收禁带宽度Eg大小的能量，这样才能符合能量守恒规律，所以就存在一个最小的光吸收能量——光子能量的下限，该能量下限也就对应于光吸收的长波限——截止波长 ：; 一些用于光电探测器的半导体的禁带宽度、截止波长和带隙类型，如下表所示。 根据光吸收截止波长的这种关系(guān xì)，即可通过光吸收谱曲线的测量来确定出半导体的禁带宽度。 由于半导体禁带宽度会随着温度的升高而减小，所以 也将随着温度的升高而增长。;③ GaAs和Si的光吸收效率比较： 直接跃迁带隙的GaAs： GaAs的光吸收谱曲线上升得比较陡峭，这是由于GaAs具有直接跃迁能带结构的缘故。在此，当价电子吸收了足够能量的光子、从价带跃迁到导带时，由于它的价带顶与导带底都在布里渊区的同一点上（即kvmax=kcmin），则在跃迁时动量几乎不会发生变化： ? 同时(tóngshí)能量守恒规律为： 光子能量hv=Eg ?; 由于这种吸收光的直接跃迁既符合能量(néngliàng)守恒、又符合动量守恒的规律，则这种光吸收的效率很高，使得光吸收系数将随着光子能量(néngliàng)的增加而快速增大，从而形成陡峭的光吸收谱曲线。 这时，吸收系数与光子能量(néngliàng)hv和禁带宽度Eg之间的函数关系可以表示为 式中的γ是常数。当光子能量(néngliàng)降低到Eg时，吸收系数即减小到0，这就明确地对应于截止波长。;间接跃迁(yuèqiān)带隙的Si： Si的能带结构是间接跃迁(yuèqiān)型的，kvmax≠kcmin，价电子跃迁(yuèqiān)时，就需要借助于声子的帮助才能达到动量守恒。于是光吸收的动量守恒规律为： ????????????????????????????????????????????????? 则光吸收的能量守恒规律为： 这时，吸收系数与光子能量hv和禁带宽度Eg之间的函数关系可以表示为: ???????????????????????????????????????????????;a）间接跃迁的实现需要第三者（声子）参与，因此光吸收效率要低于直接跃迁的光吸收，所以光吸收谱曲线的上升速度(sùdù)较慢； b）因为声子的参与，最小的光吸收能量并不完全对应于禁带宽度（多出了一个声子能量Ep），因此光吸收的截止波长并不像直接带隙半导体的那么明显。不过，由于声子能量非常小（Ep0.1 eV）