《陶瓷材料》第四章陶瓷材料的制备.ppt

烧结与熔融 相同点： 都是由原子热振动而引起的 不同点： 熔融时全部组元都转变为液相 烧结时至少有一组元是处于固态 烧结是在低于固态物质的熔融温度下进行的。 泰曼指出，烧结温度Ts与其熔点Tm之间关系的一般规律： 金属粉末Ts≈（0.3—0.4）Tm 无机盐类Ts≈ 0.57Tm 硅酸盐类Ts≈（0.8—0.9）Tm 材料制备技术 按照烧结时是否出现液相，可将烧结分为两类： 固相烧结 液相烧结 烧结温度下基本上无液相出现的烧结，如高纯氧化物之间的烧结过程。 有液相参与下的烧结，如多组分物系在烧结温度下常有液相出现。 2、烧结动力 粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能，这就是烧结的推动力。 γSV γGB 1）能量差 能量差、压力差、空位差 如：粒度为1μm的材料烧结后，△G↓8.3J/g； α-石英与β-石英之间的多晶转变时，△G 1.7KJ/mol； 一般化学反应前后能量变化，超过 200KJ/mol. 烧结不能自发进行，必须对粉体加以高温，才能促使粉末体转变为烧结体。由于热力学更稳定，所以烧结是一个不可逆过程。 烧结的难易以γGB晶界能/γSV表面能 比值来衡量： γGB/γSV↑，烧结越困难 4.3.1.1 陶瓷烧结理论 由表面张力作用产生的压力差： 或 2）压力差 3）空位差 颗粒的弯曲表面上存在有压力差 颗粒表面上的空位浓度与内部浓度之差 2、烧结动力 3、烧结过程中的物质传递 烧结过程除了要有推动力外还必须有物质的传递过程，这样才能使气孔逐渐得到填充，使坯体由疏松变得致密。 气相传质 —— 蒸发-凝聚传质 扩散传质 流动传质 塑性流动 粘性流动 溶解-沉淀传质 固相烧结 相结液烧 4.3.1.2 烧结过程中的晶粒生长 —— 与烧结传质过程同时进行 1、基本概念 2）初次再结晶：指已发生塑性形变的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 1） 晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。 3）二次再结晶：指少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程，又称晶粒异常长大和晶粒不连续生长。 4.3.1.2 烧结过程中的晶粒生长 —— 与烧结传质过程同时进行 2、晶粒生长实质 晶粒长大不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结果； 晶粒生长取决于晶界移 动的速率。 动力： 晶界两边物质的自由焓之差?G使 晶界向曲率中心移动； 小晶粒长大，界面能 ? 晶界结构(A)及原子跃迁的能量变化 最终：晶界平直化，界面两侧自由能相等为止。 晶粒长大的几何情况： ? 晶界上有界面能作用，晶粒形成一个与肥皂泡沫相似 的三维阵列； ? 边界表面能相同，界面夹角呈1200夹角，晶粒呈正六边形； 实际表面能不同，晶界有一定曲率，? 使晶界向曲率中心 移动。 ? 晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相， 则阻碍晶界移动。 晶界移动 气孔位于晶界上 移动？ 阻碍？ 影响因素： 晶界曲率； 气孔直径、数量； 气孔作为空位源向晶界扩散的速度 气孔内气体压力大小； 包裹气孔的晶粒数。 4.3.1.2 烧结过程中的晶粒生长 4.3.1.3 陶瓷烧结过程的影响因素 烧结温度、时间和粉体粒度； 添加剂：促进烧结； 阻滞剂：阻碍晶粒长大，控制烧结速度； 烧结气氛、压力。 4.3.1.3 陶瓷烧结过程的影响因素 一、烧结温度和时间的影响 1、烧结温度 2、烧结时间 T ↑，P蒸↑，D扩↑，η↓，促进烧结 T 过高：1）浪费燃料，不经济； 2）促使二次再结晶，使制品性能恶化； 3）液相量增多，η急剧下降，使制品变形。 延长t ↑，会不同程度的促进烧结的完成； 但是，在烧结后期，不合理的延长t↑↑，会加剧二次再结晶的作用，得不到致密的制品。 二、原始粉料粒度的影响 1、物料粒度 r ↓ ，总表面能↑，则： 1）烧结推动力↑； 2）原子扩散距离 ↓ ； 3）液相