测量共晶键合对准偏差的测试结构的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 测量共晶键合对准偏差的测试结构的制作方法 本发明涉及一种半导体集成电路，特殊是涉及一种测量共晶键合对准偏差的测试结构。背景技术：1所示，是现有硅基mems运动传感器的暗示图，包括了3片键合在一起的硅晶圆，即第三硅晶圆101、第一硅晶圆102和其次硅晶圆103。其中，硅基mems运动传感器形成于第一硅晶圆102上，第三硅晶圆101作为第一硅晶圆102的封盖层，第一硅晶圆103上形成cmos集成电路，通过cmos集成电路对硅基mems运动传感器举行控制。第三硅晶圆101上形成有空腔1。硅基mems运动传感器的组成包括固定电极和可动电极，固定电极和可动电极之间间隔由沟槽3。其中空腔1在位置上和可动电极相对应并为可动电极的移动提供空间。通过固定电极和可动电极的相对位置的变幻，能够实现运动状态的检查，照实现压力传感器，加速度传感器等，这在智能设备如智能手机、汽车和医疗等方面都有很好的应用。其次硅晶圆103形成有cmos集成电路，cmos集成电路的顶部形成有层间膜5，各层层间膜5之间具有金属层，并通过顶层金属层(tm)6实现电极的引出。第三硅晶圆101和第一硅晶圆102之间通过氧化层如二氧化硅层2键合在一起。其次硅晶圆103和第一硅晶圆102之间通过共晶键合(eutecticbonding)。令，第三硅晶圆101是和第一硅晶圆102的其次面键合，则其次硅晶圆103会和第一硅晶圆102的第一面键合，第一面和其次面为第一硅晶圆102的正反两面。通常，共晶键合中，第一键合材料层4为形成于第一硅晶圆102的固定电极的其次面上的锗(ge)层4，其次键合材料层7为形成于顶层金属层6和层间膜5表面的金属层组成；其次键合材料层7对应的金属层为多层金属层的叠加层如ti、tin和al的叠加层，或其次键合材料层7的金属层由单层金属al组成，最后实现al和ge的共晶键合。第一键合材料层4和其次键合材料层7之间举行共晶键合后，其次硅晶圆103和第一硅晶圆102会接合在一起，且实现电衔接。上述和cmos集成电路al-ge共晶键合衔接的硅基mems运动传感器也称硅基cmos-mems运动传感器如硅基cmos-mems加速度传感器，cmos和mems的微观图形对准精度极为重要，会挺直影响器件性能。现有技术中，对准图形惟独键合机器的搜寻标志(searchmark)，分离为alsearchmark和gesearchmark，但是没有对alsearchmark和gesearchmark的套准(overlay)举行量测的标志即套准标志，无法精确?????推断对准偏差，不能有效监控键合机台的对准精度。2a所示，是现有gesearchmark的暗示图，gesearchmark201中包括虚线框201a和201b对应的两个区域的图形；2b所示，是现有alsearchmark的暗示图，alsearchmark202中包括了虚线框202a和202b对应的两个区域的图形；2c所示，是图2a和图2b的套准暗示图，套准图203中，虚线框203a对应的区域为虚线框201a和202a套准形成的图形，虚线框201a中为开口但是虚线框202a中不开口的区域中会填充al，虚线框202a中为开口但是虚线框201a中不开口的区域中会填充ge，但是虚线框201a和202a还具有开口重叠区，重叠区形成标志203d所示的开口；虚线框203b对应于虚线框201b处的套准图形，可以看出，虚线框201b的开口中都填充有al；虚线框203c对应于虚线框202b处的套准图形，可以看出，虚线框202b的开口中都填充有ge.2d所示，是图2c的图形区域203a对应的照片，照片中可以看出开口图形203d，开口图形203d具有一定的偏移。但是，在所述其次硅晶圆103和所述第一硅晶圆102共晶键合后，无法对开口图形203d的偏移举行测量，这是由于键合后，开口图形203d为所述其次硅晶圆103和所述第一硅晶圆102组成的整体结构的内部，而不是表面。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种测量共晶键合对准偏差的测试结构，能有效监控键合机台的对准精度。为解决上述技术问题，本发明提供的测量共晶键合对准偏差的测试结构，第一硅晶圆和其次硅晶圆之间通过形成于所述第一硅晶圆的第一表面上的第一键合材料层以及所述其次硅晶圆的第一表面上的其次键合材料层实现共晶键合。测试结构包括形成于所述第一硅晶圆的第一表面上的多个顶层硅条形以及形成于所述其次硅晶圆的第一表面上的其次键合材料块，在各所述顶层硅条形表面形成有第一键合材料层。各所述顶层硅条形作为所述共晶键合的对准偏差的刻度，所述共晶键合浮现对准偏差时，所述其次键合材料块和对应位置的所述顶层硅条形顶部的第一