光伏组件的PID效应和封装材料的关系.pdfVIP

光伏组件的PID效应和封装材料的关系.pdf

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光伏组件的 PID 效应和封装材料的关系 一、前言 随着光伏组件大规模使用一段时间后,特别是越来越多的投入运营的大型光伏电厂运 营三四年后,业界对光伏组件的电位诱发衰减效应( PID, PotentialInducedDegradation ) 的关注越来越多。 尽管尚无明确的由 PID 原因引发光伏电站在工作三、 四年后发生大幅衰减 的报道, 但对一些电站工作几年后就发生明显衰减现象的原因的种种猜测使光伏行业对 PID 的原因和预防方法的讨论越来越多。 一些国家和地区已逐步开始把抗 PID 作为组件的关键要 求之一。 很多日本用户明确要求把抗 PID 写入合同, 并随机抽检。 欧洲的买家也跃跃欲试提 出同样的要求。 此趋势也使得国内越来越多的光伏电站业主单位、 光伏电池和组件厂、 测试 单位和材料供应商对 PID 的研究越来越深入。 其实早在 2005 年,Sunpower 就发现晶硅型的背接触 n 型电池在组件中施加正高压后存 在 PID 现象。2008 年,Evergreen 报道了 PID 出现在高负偏压下的正面连接 p 型电池组件中。 在 2010 年, SolonSE 报道在标准的单晶和多晶电池中都发现了极化效应。很快 SolonSE 和 NREL就提出在负高偏压下使用任何工艺生产的 P 型电池标准组件都存在发生 PID 现象的极 大风险。而 CIGS 组件的 PID 效应也有被报道。 二、 PID 的检测方式 PID 测试有两种加速老化的方式: 1)在特定的温度、湿度下,在组件玻璃表面覆盖铝箔、铜箔或者湿布,在组件的输出 端和表面覆盖物之间施加电压一定的时间。 2)在 85%湿度 85 ℃或者是 60 ℃或 85 ℃的环境下将 -1000V 直流电施加在组件输出端和 铝框上 96 小时。 在两种方式测试前,都对组件进行功率、湿漏电测试并 EL成像。老化结束后,再次进 行功率、湿漏电测试并 EL 成像。将测试前后的结果进行比较,从而得出 PID 在设定条件下 的发生情况。 第一种方式比较多的用于实验机构, 而后一种方式比较多的被光伏组件厂采用。 当 PID 现象发生时,从 EL 成像可以看到部分电池片发黑。光伏组件在上述两种测试方式下 表现出的的 EL 成像图是不同的。第一种方式条件下,发黑的电池片随机的分布在组件内, 而在第二种方式中,电池片发黑的现象首先在靠近铝框处发生。 目前 IEC 尚没有出台有关实验室进行 PID 测试和评估的正式标准, 但有一个工作文件, 大致测试方式如下: (1)取样:按 IEC60410 要求,从相同批次中抽取, 2 个组件。 (2 )消除组件早期衰减效应,组件开路进行 5-5.5Kwh/m2 辐照。 (3 )目测,按 IEC61215 章节 7,IEC61730-2 章节 10.1.3 。 (4 )组件 EL 成像和最大功率测定。 (5 )湿漏电流测试和接地连续性测试。 (6 )60+/-2 ℃、 85+/-5% ,系统电压施加在组件输出端和铝框之间 96 小时。 (7 )组件 EL 成像和最大功率测定、湿热电流测定。 (8 )合格判定。 合格判定依据于: (1)最大功率与初始值比,衰减不超过 5%。 (2 )没有目测不合格现象,按 IEC61215 章 / 节 7 , IEC61730-2 章节 10.1.3 。 (

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