可控硅元件的合理选用.docxVIP

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PAGE 1 PAGE 1 可控硅元件的合理选用 本文具体介绍了可控硅的性能参数,并从实用的角度阐述合理选用可控硅所依据的参数范围及计算方法,同时对可控硅的使用和检测修理过程中需要留意的事项作了进一步的说明。 0引言 由于可控硅具有体积小、功率大、开关速度快、掌握敏捷、过载能力差等特点,所以选择时必需从性能参数、线路形式、负载性质等几个方面入手,做到安全牢靠、合理经济。 1性能参数的计算和元件的选用 1.1额定通态平均电流It 这是一项基本参数。可控硅和其他电子元件一样,打算其允许通过电流大小的是结温(管芯3个PN结的温度)。要使可控硅在额定的结温下工作,则选用的可控硅的额定通态平均电流值必需比流过可控硅的实际电流有效值大1.5~2倍,使之有一定的安全余量。为了简便计算,一般均以掌握角α=0°来确定可控硅额定电流值: 1.2重复峰值电压(简称额定电压)VRM 由于可控硅承受电压的能力较差,瞬时反向过电压就会造成可控硅损坏。超过正向转折电压,假如通过的电流过大,次数多了也会造成特性恶化,甚至击穿。因而选择可控硅额定电压时应考虑电网电压的波动与抑制后的过电压等因素,其选择时必需考虑2~3倍的系数,即:VRM=(2~3)Um,其中Um为可控硅实际承受的峰值电压。 在大功率高电压可控硅设备中,当单只可控硅额定电压不能满意使用要求时,就必需把2只同型号、同规格的可控硅串联起来使用,应按下列公式计算: 1.3通态平均电压(简称正向压降)Vr 这项参数是可控硅的质量指标之一,因为流过可控硅的正向电流与正向压降的乘积就是可控硅由阻断到导通、导通到阻断的过程中总损耗的主要部分。同样电流下正向压降越小则损耗越小,可控硅的温升也越小。这个对于大容量的可控硅整流器而言更不容忽视 从削减可控硅损耗和发热的观点动身,应尽可能选择正向压降较小的。可控硅正向平均压降,是生产厂依据合格的型式试验而自行规定的,一般在0.5~1.2V范围内。对多只可控硅并联使用的线路中,每桥臂的可控硅正向压降值要选配的基本全都,以相差不超过4-0.5V为宜。 1.4门极参数 门极参数包括触发电流IGT和触发电压VGT。因为可控硅的门极参数分散性很大,所以在选用可控硅时,必需依据触发电路的特点进行合理选择。若选用IGT、VGT偏小的元件,则简单受外界干扰而触发,反之则难以触发。此外,可控硅的门极参数还受到外界环境温度的影响,当温度增加,IGT、VGT会显著降低,温度下降会突然增大。 不同容量、不同用途的可控硅设备,其触发回路也各不相同。目前,常用的几种触发电路对选择可控硅门极参数所提出的详细要求可以归纳为: (1)适用于单相小功率可控硅设备中阻容或阻感形式的触发电路,或在单相、三相半控桥线路获得广泛应用的单结晶体管触发电路,此类触发电路输出功率小、脉冲宽度窄、线性度差,一般使用于KP-50型以下的可控硅。应选择IGT≤30mA、VGT≤1.2v的可控硅元件,但是门极参数也不能选得太小,否则抗干扰能力差,易发生误触发。 (2)在要求较高的单相或三相全控桥可逆系统中,大多数采用由晶体管组成的正弦波或锯齿波垂直移相的触发电路。这类触发电路可获得宽脉冲,输出功率大。为此,我们在使用额定电流100A以上的可控硅元件时,其触发电路输出电流、电压参数应比可控硅元件的门极触发电流、电压参数(出厂值范围)大2~3倍,但需要留意其触发电路的限定值。 (3)用多只可控硅串、并联工作的大功率设备中通常采用强触发脉冲电路,也有用小功率可控硅放大脉冲信号,它们的优点是触发功率大,可获得宽脉冲、工作牢靠。选择可控硅元件时,除了留意Vr、VRM、Vl等值外,还要留意门极的触发电流、电压值均应在所使用触发电路输出功率范围内,各元件的开通时间还要基本全都。 1.5维持电流IH和擎住电流IL IH、IL是可控硅在触发导通过程中2个不同的物理量。通常只有IH作为可控硅出厂参数,选用时应留意这一点。IH、IL的大小与结温有关,即温度越高2个参数值越小,反之越大。一般可控硅的IL=(3~5)IH。 因为可控硅电路的负载特性对可控硅元件的工作影响很大,所以IH、IL这2个量不容忽视。例如对于电感性负载,电路的基本特点是电流变化滞后于电压的变化。因此应选用维持电流大一些的可控硅元件,否则移相掌握作用可能失效,造成失控(可控硅导通后不能关断),一般的中小型可控硅直流传动设备中,使用KP20、KP50时,IH应取≥8mA;使用KPIO0、KP200时,IH应取≥20mA。大容量整流设备中使用KP500、KP8

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