基本MOS元件物理幻灯片.pptVIP

第二章 基本MOS元件物理Basic MOS Device Physics;2.1 一般性考慮 2.1.1 以MOSFET做為開關 2.1.2 MOSFET結構 2.1.3 MOS符號 2.2 MOS I/V特性圖 2.2.1 臨界電壓 2.2.2 I/V特性圖之推導 2.3 二階效應;學習積體電路設計的方法;以MOSFET做為開關;MOSFET結構;基板連接;PMOS元件;MOS符號;NFET的開啟現象;Threshold Adjustment;臨界電壓;PFET的開啟;I/V特性圖之推導(一);I/V特性圖之推導(二);I/V特性圖之推導(三);三極管區汲極電流電壓關係圖;深三極管區之電阻特性;如圖2.14(a)所示，繪出 M1 之開啟電阻和之關係圖。假設 μnCox= 50 μA/V2，W/L= 10，VTH= 0.7V。注意其汲極端為開啟狀態。 解： 因為汲極端被開啟，ID= 0 且 VDS= 0，因此如果元件開啟時，將操作於深三極管區。當 VG1V+VTH 時，M1 關閉且 RD= ∞。當 VG1V+VTH 時，我們得到 此結果繪於圖2.14(b)中。;飽和區之成因;飽和區電流推導及電流源;PMOS元件之電流公式;轉導;飽和區和三極管區之概念示意圖; 如圖2.19所示，繪出轉導和之關係圖。 解： 當 VDS 從無限大開始減少，了解 gm 是較為簡單的，只要 VDS ≧ Vb－VTH，M1 將操作於飽和區，ID 則為常數。從式(2.18)得知 gm 亦為常數。當 VDS Vb－VTH 時，M1 操作於三極管區，且： 如圖2.19所示，如果元件進入三極管區時，轉導將會減少，而為了放大之故，我們通常使用MOSFET之飽和區。;基板效應;基板效應; 如圖2.23(a)所示，繪出 VX 從 －∞ 至 0 之汲極電流圖。假設 VTH0= 0.6V，γ= 0.4V1/2，2ΦF= 0.7V。 解： 如果負 VX 值夠大時，M1 臨界電壓將會超過 1.2V 且元件為關閉狀態，也就是說 因此 VX1=－4.76V。當 VX1 VX 0 時，ID 將會增加。根據下式 圖2.23(b)顯示了其特性結果。;基板效應對輸入輸出電壓的影響;通道長度調變效應; 維持所有參數為常數，繪出當 L=L1 及 L= 2L1 時，MOSFET之 ID/VDS 特性圖。 答： 我們寫出下列式子 且 ，我們注意到如果長度加倍時，ID/VDS 斜率將會變為四分之一。此乃是因為 (圖2.26)，當給定一驅動閘極－源極電壓時，較大之 L 可提供較理想的電流源，但會降低元件之電流容量，因此 W 可能必須被等比例地增加。;次臨界傳導;MOS元件設計; 繪出圖2.29(a)中電路佈線設計圖 解： 注意 M1 和 M2 在節點 C 分享同一個源極/汲極接面，而 M2 和 M3 在節點 N 分享同一個 S/D 接面。我們猜測三個電晶體可以如圖2.29(b)之佈線圖，將其餘端點連接起來，便可得到圖2.29(c)之佈線圖。注意 M3 之閘極多晶矽層無法直接連至 M1 之源極，因此需要另一條金屬連線。;MOS元件電容; 計算圖2.32中二種結構之源極和汲極接面電容。; 解： 對圖2.32(a)之電晶體而言，我們可以得到 而對圖2.32(b)而言， 圖2.32(b)之幾何形狀被稱為摺疊(folded)結構。當我們提供同樣的 W/L 時，圖2.32(b)之汲極接面電容比圖2.32(a)還小。 在上述計算中，我們已假定源極或汲極之總周長為 2(W+E) 乘上 Cjsw。面對通道之側邊電容可能會比其它三個側面電容小，因為通道截止佈植效應(channel-stop implant)(見第十七章)。儘管如此，我們還是假定所有的四個側邊都有相同的單位電容，因為電路中的每個節點都連結至許多其它的元件電容，故由假設所造成的誤差可以忽略不計。;不同操作區中的元件電容; 繪出 VX 由 0 變至 3V 時，圖2.34中 M1 之電容圖。假設 VTH= 0.6V 且 λ=γ= 0。; 解： 為避免混淆，如圖2.34所示，我們將三個端點標上記號。當 VX≒ 0 時，M1 操作於三極管區，CEN≒CEF=(1/2)WLCox+WCov，且 CFB 為最大值，CNB 則和 VX 無關。當 VX 超過 1V 時，源極和汲極的角色會互換[圖2.35(a)]；而當 VX ≧ 2V－0.6V 時，M1 將會脫離三極管區。其電容變化如圖2.35(b)和(c)所示。;MOS小信號模型;MOS小信號模型;利用摺疊來減少閘極電阻;完整的MOS小信號模型;;MOS SPICE Model;;