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Hi-Fi界有一句至理名言,就是“简洁至上”。这就是说,假如能用一个元件或器件做成的电
路,就尽量不用两个。电子电路中常用的电子元件有电阻、电容、电感等,常用的电子器件
有二极管、三极管及集成电路等。电阻、电容都属于线性元件,在放大电路中可以认为不会
因它们而产生非线性失真。但是,目前用于放大的电子器件,不论是电子管、晶体管,还是
集成电路,统统都是非线性器件,它们是放大电路中产生非线性失真的根源。因此,在放大
电路中应尽量少用管子。要做到这一点也并非容易,所以通常所见到的放大电路都比较复杂。
要想“简洁”,必须解决两个问题:一是放大倍数要足够大,至少应该在接CD机时能够达到
额定的输出功率;二是非线性失真要尽量小些,在不加负反馈或只加少量的负反馈时,谐波
失真系数能够达到Hi-Fi要求。
功率放大器的输出电路方式,可按有无输出变压器分为两类。无输出变压器的功放电路
为了使扬声器中无直流电流通过,必须采用电容耦合(OTL 电路)或者正负两套电源(OCL 电
路)。本文介绍的晶体管甲类音频放大器选用变压器输出的单管放大方式,每声道只用两只
管子,而若采用互补推挽电路,则至少要用四五只管子。由于所用的输出变压器初级阻抗只
有几十欧姆,所以绕制起来很容易,性能也很容易达到要求。采用变压器输出的一个突出优
点就是可以避免烧扬声器。另外,变压器次级线圈极小的直流电阻,会改善扬声器的阻尼,
使瞬态失真减小。
电路结构与特点
该晶体管甲类音频功率放大器电路及电源电路如图1所示。这一功放电路具有高达15W
的有效值输出功率,它只用两只晶体管,并把它们直接相连,复合成一只高跨导的功率场效
应晶体管。这是笔者受到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的启发偶尔想到的。IGB 是一种新型
半导体功率器件,已成功地应用于高频开关电源中,近几年在高保真声频功率放大器中也常
见到它的踪影。它兼有双极型晶体管(即普通PNP、NPN 晶体管)和单极型晶体管(即场效应
管)两者的优点,但没有两者各自的缺点,所以应用前景非常广阔。普通晶体管的饱和压降
小,但开关速度慢,而且是正温度系数。场效应管不需要输入电流,开关速度快,具有负的
温度系数,但是导通电阻较大。IGB 的等效电路如图2所示,图中(a)示出了由P沟道场效
应管和NPN 型晶体管复合而成的IGB 等效电路,(b)示出了由N沟道场效应管和PNP 型
晶体管复合而成的IGB 等效电路。由于目前的IGB 主要设计目的是用于开关电路而不是
线性放大电路,所以其输出特性曲线的线性不太好。笔者采用了一只性能优良的日立名管
2SJ77与一只国产大功率晶体管3DD9按IGB 结构复合成输出管。2SJ77(互补管为2SK214)
是专门设计用于线性放大的中功率 MOSFE ,在高保真功率放大器中常用作推动管,口碑
颇好。其跨导高达 40mA/V(或 40mS),输入电容 CIS 为 90pF,还不到大功率场效应管
2SJ49(2SK134)输入电容的六分之一。
这种复合方式有以下显著优点:(1)具有极高的跨导,可产生足够的电压增益。2SJ77 的
跨导为 40mA/V。因为VT1 的漏极直接接到了 VT2 的基极,所以VT2 的发射极电流就是
VT1 漏极电流的(β+1)倍。如果 VT2 的电流放大系数 β 为 50,则这只复合管的跨导就是
2000mS。这就是说,场效应管VT1 的跨导被VT2放大了大约β倍。在图1所示电路中3DD9
的β选为40。当R3短路、R4开路时的开环电压放大倍数为60。负载为8Ω时最大输出功
率为 15W,可计算出所需输入电压的有效值约为0.18V。当R3=51Ω,R4 开路时的电压放
大倍数约为30,这就是说,R3产生了-6dB的负反馈。当R3=51Ω,R4=2kΩ 时的总电压放
大倍数为 15,总负反馈量为-12dB。其中R3产生的反馈为电流串联负反馈,R4产生的反
馈为电压串联负反馈,各为-6dB。(2)VT1 对于 VT2来说为电流驱动,VT2 的基极电流就
是VT1 的漏极电流,因此可避免双极型晶体管VT2产生奇次谐波失真。场效应管的栅源电
压UGS与其漏极电流I
为平方关系,虽然不是线性关系,但理论上只会产生二次谐波失真。而双极型晶体管的基射
电压UBE与其集电极电流IC 为指数关系,如果采用电压源激励,就会同时产生奇次和偶次
谐波失真。但是如果采用电流驱动,则集电极电流IC与基射电压UBE无关,就可避免奇次
谐波失真的产生。该功率放大器的音色醇厚而温暖,颇有胆机的味道,其原因可能就在于此。
(3)复合管的输出管VT2 的集电极直接接地,因此与散热器之间不必加绝缘垫,有
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