【工学】模电试题.docVIP

一、判断以下说法可否正确,用“×”或“√表示判断结果. （10分） （1)在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地 . (） （2）电压负反响牢固输出电压,电流负反响牢固输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反响是负反响，不然为正反响. （ ） (4）产生零点漂移的原由主若是晶体管参数受温度的影响. ( ） （5）利用两只NPN型管组成的复合管只好等效为NPN型管. （ ） （6)本征半导体温度高升后两种载流子浓度依旧相等。 （ ) （7）未加外面电压时，PN结中电流从P区流向N区. （ ) （8）集成运放在开环状况下必然工作在非线性区。 （ ） (9）只要引入正反响，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路. （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了牢固静态工作点，应在放大电路中引入 。 (A）电流负反响 （B)电压负反响（C）直流负反响(D）交流负反响 (2）RC串并联网络在ff0 1 时呈 。 2RC （A)感性(B）阻性（C)容性 (3）通用型集成运放的输入级多采纳. （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β同样的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。 β ）β 2 β β (B (A) (5）在(A）、（B)、（C)三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流,又能放大电压的电路是 . （A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路 （6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuB uE。 (A）〉 （B） （C)= （D）≤ (7)硅二极管的正导游通压降比锗二极管的 . （A）大 （B）小 （C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它可否导通，并求出 u0. 四、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时 B—E间电压为UBEQ，电 流放大系数为β，B—E间动向电阻为rbe。填空： 静态时,I BQ 的表达式为 ,I CQ 的表达式为 CEQ,U的表达式 为 ；电压放大倍数的表 达式为 ，输入电阻的表达式 为 ，输出电阻的表达式 为 ；若减小RB则 CQ将 ， be , I r 将 ，Au将 ,Ri将 。 五、(10分)在图示电路中，已知晶体管静态时UBEQ=0.7V，电流放大系数为β=100，rbe=1kΩ,RB1=5kΩ，RB2=15kΩ，RE=2。3kΩ，RC=RL=3k ,VCC=12V。 （1）估量电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 （2）估量信号源内阻为RS=1kΩ时，AusU0US的数值. 六、（10分）在图示电路中，已知VCC=12V，VEE=6V，恒流源电路I=1mA,RB1=RB2=1kΩ，RC1=RC2=10kΩ;两只晶体管特点完整同样， 且β1=β2=100,rbe1=rbe2=2kΩ.估量： （1）电路静态时T1和T2管的集电极电位； （2）电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0 七、（5分）在图示OCL电路中，已知 T1、T2管的UCES1V，电源电压为±9V，负 载电阻RL=8Ω，试计算最大输出功率Pom及效率η。 八、（8分）设图示各电路均引入了深度交流负反响,试判断各电路引入了哪一种组态的交流负反响，并分别估量它们的电压放大倍数. 九、（6分)在图示电路中,要求RF=100kΩ，比率系数为11，试求解R、和 的阻值。 十、（6分）求解图示电路的运算关系式。 十一、(9分）在图示文氏桥振荡电路中，已知R1=10kΩ，R和C的可调范围分别为1~100kΩ、0。001~1μF。 （1）振荡频率的可调范围是多少？ （2)RF的下限值为多少？ 十二、(5分）在图示电路中，已知W7806的输出电压为6V,R1=R2=R3=200Ω，试求输出电压U0的调治范围。 十三、（6分）串通型稳压电路如下列图，T2和T3管特点完整同样，T2管基极电流可忽略不计，稳压管的牢固电压为UZ。填空： 调整管为 ，输出电压采 样电阻由 组成，基准 电压电路由 组成，比较放 大电路 组成； 输出电压调治范围的表达式为 . 学号 姓名。 一、判断以下说法可否正确，用“×”或“√”表示判断结果. (10分） （1）只要知足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （2）引入直流负反响可以牢固静态工作点。 (） （3)负反响越深，电路的性能越牢固。 （ ） （4）零点漂移就是静态工作点的漂移。 (） （5）放大电路采纳复合管是为了增大放大倍数和输入电阻 . （ ） （6）镜像电流源电路中两只晶体管的特点应完整同样。 （ ） （7）半导体中的空穴带正电. （ ） (8）P型半导体带正电,N型半导体带负电