反应气体和生长温度的Nb掺杂TiO2薄膜相图分析.docxVIP

反应气体和生长温度的Nb掺杂TiO2薄膜相图分析 应用射频磁控溅射设备在超白玻璃和石英玻璃等非晶基体上生长Nb 掺杂TiO2薄膜。在固定的电源功率、频率、靶基距和溅射时间的条件下，通过改变基体温度、反应气体及其含量，可以得到相对准确的晶相分布图。在复原气体环境随着基体温度的增加得到了金红石相的Nb 掺杂TiO2薄膜；在氧化气体环境中，不同的基体温度和不同的氧化气体含量能够生长出较为纯净的锐钛矿相及锐钛矿相和金红石相的混相。通过此相图的研究能够为制备良好的透明导电薄膜奠定实验根底。  透明导电薄膜由于具有高的可见光透射率和低的电阻率，在抗静电涂层、触摸显示屏、平板显示(FPDs) 、太阳电池、低辐射玻璃、电磁波防护和隐形安全电路等方面具有广泛的应用前景。特别是近年来，随着人们生活水平的提高和节能环保意识的增强，对于大平面显示和太阳电池需求越来越多，透明导电薄膜作为这两种器件的关键材料，它的市场需求量正在逐年增加，目前，透明导电薄膜已经形成了年产值数百亿美元的经济产业。  透明导电薄膜按照材料种类的不同，可分为金属和半导体两大类。对于金属材料，金、银、铝等材料在透明导电方面具有良好的性能，但这些材料必须制成网格状或厚度小于20 nm 的薄膜才具有较好的透明效果，此外，纯金属还具有易于氧化和强度低等缺点，因此在生产应用方面限制了其大规模的发展。半导体材料主要是指金