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* * * * * * * * * * * * * * * * 8、金属薄膜的微机械加工 有许多金属薄膜用于微机械加工，它们用作导线、电阻、微机械元件、传感元件等。铝在传统集成电路制造中应用十分普遍，迄今为止，也是大部分半导体制造设备中最常用的金属，并在微机械加工中大量应用。 金属淀积工艺有许多种，包括电热蒸镀、电子束蒸镀、溅射、磁控溅射淀积、CVD、激光辅助CVD和电淀积 。 第六十三页，共六十五页。 作业 从加工尺度、使用材料、核心工艺等角度简述体硅工艺和表面工艺的各自特点和区别。 第六十四页，共六十五页。 内容总结 MEMS工艺——面硅加工技术。MEMS工艺——面硅加工技术。表面微机械加工以硅片为基体，通过多层膜淀积和图形加工制备三维微机械结构。添加——图形——去除。如果掺入硼，那就叫做硼硅玻璃或BSG。二氧化硅在较大的波长范围内具有透光性，这使它在许多微机械光学器件中得到应用。在表面微机械中，广泛采用的SiO2生长和淀积方式是热氧化和LPCVD。蒸气中：Si+H2O→SiO2+2H2（“湿法”氧化）。电介质强度(106V/cm或 102V/μm)。腐蚀速率(nm/min)(H2O:HF=100:1)。硅烷和N2O在Ar等离子体中：SiH4+4N2O→Si3N4+4O2+2H2O。它可以用PECVD工艺淀积，也可以自身生长 第六十五页，共六十五页。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 多晶硅材料的主要特点 （2）多晶硅薄膜对生长衬底的选择不苛刻。衬底只要有一定的硬度、平整度及能耐受住生长工艺温度即可。 （3）可以通过对生长条件及后工艺的控制来调整多晶硅薄膜的电阻率，使它成为绝缘体、导体或半导体，从而适应不同器件或器件不同部分的需要。 第三十一页，共六十五页。 多晶硅材料的主要特点 （4）多晶硅薄膜作为半导体材料可以像单晶硅那样通过生长、扩散或离子注入进行掺杂，形成N型或P型半导体，制成p-n结；可以采用硅平面工艺进行氧化、光刻、腐蚀等加工。 第三十二页，共六十五页。 多晶硅材料的主要特点 （5）由于生长的膜厚可以较好的控制，与其他薄膜有良好的相容性，有利于制造多层膜结构，给器件设计带来较大的灵活性。 （6）生长工艺的进步使得多晶硅薄膜不仅可以大批量生长，而且可以大面积生长，因而成本低，易于扩大应用。 第三十三页，共六十五页。 2）、多晶硅的淀积 方法： 低压化学气相淀积（LPCVD） 常压化学气相淀积（APCVD） 等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 分子束淀积 第三十四页，共六十五页。 多晶硅的淀积 对于表面微机械加工来说，最主要的加工方法是以硅烷（SiH4）为气源，在热壁炉反应器内淀积多晶硅的LPCVD技术。 第三十五页，共六十五页。 典型的加工条件： 温度：580?C～650 ?C 压力：100 ～400mtorr(1Pa=7.50062×10－3torr) 气体：100％硅烷（ SiH4 ） 气体流速取决于管道直径和其他条件 630 ?C，多晶硅淀积速率为10nm/min，温度降低，淀积速率也降低。 第三十六页，共六十五页。 多晶硅的微结构与淀积条件有关 在100％的硅烷气体，压力为200torr的LPCVD淀积条件下，低于580?C淀积时，薄膜为无定形;超过580?C薄膜为多晶。 第三十七页，共六十五页。 当薄膜为多晶时，随着温度的升高，晶粒结构发生变化。 600 ?C时晶粒非常细小，625 ?C时晶粒长大，形成垂直于膜面的柱状结构；随着膜厚的增加晶粒尺寸增大。晶粒的方向取决于淀积温度，600 ～650?C之间薄膜的主要方向110，650 ～700?C之间薄膜的主要方向100。 第三十八页，共六十五页。 3）、淀积态的薄膜应力 应用多晶硅制备微机械主要考虑问题之一是薄膜应力。 平均残余应力和应力梯度依赖于淀积条件；薄膜初始态的微结构对最终薄膜的性能产生明显的影响。 第三十九页，共六十五页。 薄膜内存在的应力梯度形成一个挠矩，使细长条的微结构发生挠曲。 晶体薄膜的平均应力和应力梯度受结晶方向的影响较大，[110]方向，应力值最大；无规取向，应力值最低。 第四十页，共六十五页。 4）、未掺杂薄膜的退火 在微机械结构中，多晶硅薄膜的残余应力大大地影响着器件的性能。 LPCVD淀积的多晶硅多数呈本征压应力，该压应力不是由热错配造成的，而是成膜过程中硅晶粒长大的交互作用所致，要消除该压力，就必须在再结晶温度退火。 第四十一页，共六十五页。 5）、原位掺杂 多晶硅掺杂与单晶硅相似，通过掺杂能改变多晶硅的电阻。 淀积多晶硅的同时进行掺杂称为原位掺杂。 第四十二页，共六十五页。 原位掺杂 优点： 掺杂均匀，而