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* 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 第30页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.3.1 PN结的扩散与漂移 由于两种半导体内带电粒子的正、负电荷相等，所以半导体内呈电中性。 图2.2 PN结的形成 第31页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 图2.3 平衡状态下的PN结 在耗尽区中正负离子形成了一个电场ε，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场ε作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。 扩散电流 漂移电流 第32页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.3.2 PN结型二极管 (a) (b) (c) 图2.4 PN结二极管原理性结构(a), 符号(b)与I-V特性曲线(c) 第33页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.3.3 肖特基结二极管 图2.5 金属与半导体接触 金属与掺杂半导体接触形成的肖特基二极管的工作原理 基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金属栅极与沟道材料之间形成的结就属于肖特基结。因此，它们的等效电路中通常至少包含栅-源和栅-漏两个肖特基结二极管。 第34页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.3.4 欧姆型接触 在半导体器件与集成电路制造过程中，半导体元器件引出电极与半导体材料的接触也是一种金属-半导体结。但是我们希望这些结具有双向低欧姆电阻值的导电特性，也就是说，这些结应当是欧姆型接触，或者说，这里不应存在阻挡载流子运动的“结”。工程中，这种欧姆接触通过对接触区半导体的重掺杂来实现。理论根据是：通过对半导体材料重掺杂，使集中于半导体一侧的结（金属中有更大量的自由电子）变得如此之薄，以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输。 第35页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.1 了解集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 第36页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 集成电路设计基础 第1页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 表2.1 集成电路制造所应用到的材料分类 10-22~10-14 S·cm-1 SiO2、SiON、Si3N4等 绝 缘 体 10-9~10-2 S·cm-1 硅、锗、砷化镓、磷化铟等 半 导 体 105 S·cm-1 铝、金、钨、铜等 导 体 电 导 率 材 料 分 类 2.1 了解集成电路材料 第2页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用 掺入杂质可改变电导率/热敏效应/光电效应 表2.2 半导体材料的重要物理特性 硅，砷化镓和磷化铟是最基本的三种半导体材料 第3页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.1.1 硅 (Si) 基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管（BJT） 结型场效应管（J-FET） P型、N型MOS场效应管 双极 CMOS（BiCMOS） 价格低廉，占领了90％的 IC市场 第4页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.1.2 砷化镓 (GaAs) 能工作在超高速超高频，其原因在于这些材料具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率 GaAs的优点: fT可达150GHz/可制作发光器件/工作在更高的温度/更好的抗辐射性能 GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和 HBT 第5页，共51页，2022年，5月20日，1点37分，星期四 * 2.1.3 磷化铟 (InP) 能工作在超高速超高频 三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT 广泛应用于光纤通信系统中 覆盖了玻璃光纤的最小色散（1.3um）和最小