库仑堵塞与单电子器件.pptVIP

（4）要避免热电子发射效应 因为Coulomb阻塞效应是利用电子隧穿通过势垒的作用来实现的，而越过势垒的热电子发射作用是一种破坏作用，所以要尽量加以避免。因此，纳米隧道结的势垒高度就必须 kBT, 才不会出现电子的热发射效应。 第三十一页，共六十一页。 6.单电子器件（ single-electron device SED） （1）问题的提出 是否存在有控制单个电子的可能性? 回答是肯定的。因为电压V与电容C之间的关系为V=Q/C , 在电荷Q=电子电荷q≈10-19C 时, 若 C=10-18F , 则 V ≈0.1V。这就是说, 若采用纳米电容即可通过电压来控制单个电子的运动 。 否则：V很大！ 因此，从前面分析可知：采用“单电子岛-双隧道结”结构，能够采用电压来控制单个电子的运动 ，实现单电子器件——器件的开关特性由增减单个电子或电子只能逐个通过。 第三十二页，共六十一页。 （2）结构图 1-2 nm 10 nm 10 nm 第三十三页，共六十一页。 工作原理示意图 等效电路 Cg 删极绝缘层电容 CJ 隧道结的电容 RT 隧道结的电阻 第三十四页，共六十一页。 2001年日本的科学家松本和彦就率先在实验室里研制成功了单电子晶体管，该晶体管中使用的Si和TiO2材料的结构尺寸都达到了10nm左右的尺度。 第三十五页，共六十一页。 （3）SET的Coulomb阻塞状态 ①SET的工作——改变电压（VD与VG）实现调控 - VD +VS +V - V -VG -VG 结1 结2 C0 (V1) (V2) (R1,C1) (R2,C2) 结1 结2 岛 VG 岛 S D G ID + - - + VD 第三十六页，共六十一页。 若开始量子岛中N=0, 则随着电压︱VD︱上升, V2 逐渐增大（＞ q/2C,首先结2脱离阻塞而隧穿； V1又增大（ ＞ q/2C）然后结1脱离阻塞而隧穿, 产生隧穿电流。量子岛的状态变化情况分析如图。 隧道结的能量 (或结电压)变化如下图： V2 V1 V2 V1 隧道结1 隧道结2 量子岛 N=2 N=1 N=0 N= -1 N= -2 q / C q / 2C - q / 2C - q / 2C q / 2C q?2+ q?1+ Γ? 是电子从左到右的隧穿几率。 电子e q / C =堵塞宽度 第三十七页，共六十一页。 N = 0 → (-1) → 0 → (-1) → ……最后保持为0。 隧道结的能量 (或结电压)变化如下图： V2 V1 V2 V1 隧道结1 隧道结2 量子岛 N=2 N=1 N=0 N= -1 N= -2 q / C q / 2C - q / 2C - q / 2C q / 2C q?2+ q?1+ 电子e V2 保持不变，电子输运一直保持 如果V2继续增加，如何变化？ 第三十八页，共六十一页。 ②.Coulomb台阶的形成 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 0 VD (V) ID -1.6×10-12 A -1.2×10-12 A -8×10-13 A -4×10-13 A 1 2 3 4 5 VG = 2 V T = 300 K VD VG 1 2 在VG或=0不变时, 通过VD 来调节ID，出现台阶式变化, 出现Coulomb台阶。 VD减小，势垒降低，1个电子隧穿，形成隧穿电流ID。 VD继续减小，势垒降低不能使2个电子隧穿，此时仍只有1个电子保持流动， ID- VD形成台阶1。当VD减小到一定值时，第2个电子隧穿，ID增大保持到第3个电子隧穿， ID- VD形成台阶2。如此循环，I-V特性呈现为台阶状，台阶的宽度就是Coulomb间隙 (100mV量级。如果宏观C很大，台阶消失)。 0 ∣VD︱ ID (伏安特性) 第三十九页，共六十一页。 名 称 量子化维数 器件工作机理 器件端数 I-V特性 共振隧穿器件，量子线 一维或二维量子化 量子共振隧穿效应 两端或三端 单电子晶体管 （当为单电子传输时） 三维皆纳米量级，但皆未量子化 库仑阻塞效应 三端 量子点器件 三维都量子化，岛由量子点构成 量子化效应 两端 N=1，U=? 第四十页，共六十一页。 （4）SET的ID随VG的Coulomb振荡 ——用VG来调控ID ①可能性问题：在VG = 0 时, 量子岛的静电势能 (Ec) 与岛中的电子数 (n) 之间有抛物线关系；但在VG≠0时, 抛物线将向右平移。这表明:VG改变了量子岛中的电子数目n，即有电子进入量子岛， 也就是产生了隧穿电流ID， VG能调控ID 。 Ec -3 Ec 0 1 2 3 -1 -2 VG = 0 的情况 n VG ?