刘媛媛-模拟电子技术基础-第一章.pptVIP

在场效应管的UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为场效应管的转移特性曲线，它反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用 一、结型场效应管 4.转移特性 在导电沟道和栅极之间添加一层很薄的绝缘层，这样构成的场效应管被称作绝缘栅型场效应管，如果绝缘层是由绝缘金属氧化物氧化物构成的，则被称作金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），简称MOS管。 与JEFT不同的是，MOSFET除了分为N沟道管和P沟道管两类外，每类又分为增强型和耗尽型。 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） （1）结构与符号 N沟道管结构示意图 N沟道管符号 P沟道管符号 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型MOSFET MOS管和三极管一样，接入电路时根据共用不同的电极，也有三种接法，最常用的是共源接法 （2）工作原理 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型MOSFET 0≤uGS＜uGS,th 时，没有导电沟道 uGS≥uGS,th时，出现N型导电沟道 （2）工作原理 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型MOSFET uDS较小时，iD迅速增大 uDS较大时，出现夹断， iD趋于饱和 （2）工作原理 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型MOSFET 输出特性 转移特性 增强型MOSFET也有四个工作区： 可变电阻区、恒流区、击穿区和夹断区 （3）特性曲线 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型MOSFET 以N沟道耗尽型MOSFET为例: N沟道的结构示意图 N沟道符号 P沟道符号 耗尽型MOS管的结构与符号 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 2.耗尽型MOSFET 输出特性曲线 转移特性曲线 N沟道耗型MOS管的型特性曲线 对于P沟道场效应管，其工作原理，特性曲线和N沟道相类似。仅仅电源极性和电流方向不同而已 以N沟道耗尽型MOSFET为例: 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 2.耗尽型MOSFET MOSFET的参数和JFET基本相同，需要注意的是在增强型MOSFET中不用夹断电压UGS,off而用开启电压来UGS,th表征管子特性。 （1）开启电压UGS,th （2）夹断电压UGS,off和饱和漏电流IDSS （3）直流输入电阻RGS （4）低频跨导gm （5）漏源击穿电压UBR,DS和栅源击穿电压UBR,GS （6）最大损耗功率PCM 三、场效应管的主要参数与质量鉴别 1.场效应管的主要参数 常见场效应管 （1）场效应管的管脚识别 （2）测电阻的方法判别场效应管的好坏 （3）估测场效应管的放大能力 三、场效应管的主要参数与质量鉴别 2.场效应管的质量判别 （1）选用场效应管时，不能超过其极限参数 （2）结型场效应管的源极和漏极可以互换 （3)MOS管有3个引脚时，表明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换 三、场效应管的主要参数与质量鉴别 3.场效应管的使用注意事项 三、场效应管的主要参数与质量鉴别 3.场效应管的使用注意事项 （4）MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄 放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时则按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极再撤除仪器 （5）电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到 电路板中或从电路板中拔出来 （6）相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用 三、场效应管的主要参数与质量鉴别 3.场效应管的使用注意事项 把输入电压的变化范围加以限制叫做限幅，常用于波形变换和整形。二极管正向导通后，它的正向管压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.2V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 五、二极管的基本功能 3.二极管的限幅作用 （a）指针式万用表 （b）数字式万用表 六、普通二极管的判别 1.判别工具 一般情况下二极管有圆环标志的是负极，无标记的二极管，可用万用表来判别正、负极。 将万用表拨到电阻挡，用R100或R1K（不选用R1挡因为它使用的电流太大，容易烧坏二极管，不选用R10K挡是因为它使用的电压太高，可能击穿二极管）来测量，