MOS管静电击穿失效与防御.docx

MOS 管失效與預防之靜電擊穿 为什么要研究 MOS 管？ 目前在市场应用方面，MOS 管的应用领域需求排名第一的是消费类电子电源适配器产品；排名第二的则是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD 显示器等产品, 并且随着国情的发展，这类产品对 MOS 管的需求有要超过消费类电子电源适配器的趋势；第三则属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域，这类领域的产品对于 MOS 管的需求不小，尤其是汽车电子对于 MOS 管的需求直追消费类电子。 在了解 MOS 管的静电击穿之前，先来了解一下什么是静电失效以及电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏? 什么是静电失效？ 静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。 什么是静电(Electrostatic, static electricity？) -- 静电就是静止不动的电荷 -- 正负电荷在局部范围内失去平衡的结果 -- 不形成回路流动,低电量,高电压 什么是静电放电(Electrostatic Discharge, ESD？) -- 处于不同静电电位的两个物体间的静电电荷的转移 -- 对于电子元器件来说﹐静电放电(ESD)是广义的过电应力的一种 -- 高电压,大电流,短时间 什么是过电应力(Electrical Over Stress, EOS)? 元器件承受的电流或电压应力超过其允许的最大范围 静电的基本物理特征表现为： 静电的基本物理特征表现为： (1)有吸引或排斥的力量； (2)有电场存在，与大地有电位差； (3)会产生放电电流。 这三种情形即 ESD 一般会对电子元件造成以下三种情形的影响： (1)元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命； (2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作(完全破坏)； (3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但 是寿命受损。 电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏? MOS 管为什么会被静电击穿？ MOS 管本身属于 ESD 敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电 容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 N 沟道结型场效应管结构图 P 沟道结型场效应管结构图 静电击穿有两种方式; 静电损伤 如今有些 MOS 管因为制程和工艺上的改进,并没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的 VMOS,一般设有二极管保护。VMOS 栅极（G 极）电容大，高压对其影响不大。但是相应的 3DO 型的 mos 管，在干燥的北方，如使用过程中中不佩戴防静电装备，如静电手环，极容易因为人体静电（HBM）将其打死。虽然大多数 CMOS 器件内部已经增加了 IO 口保护。但用手直接接触CMOS 器件管脚仍然不是好习惯。 需要注意一点的是。ESD 产生的结果具有随机性，并不是碰到 MOS 管就能够产生静电把它击穿，也不是产生了静电就能把 MOS 管击穿，只是比起其它器件，MOS 管要更加敏感。 联系前文静电的基本物理特征 ESD 对 MOS 管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况(完全破坏)。 上述这三种情况中，元件完全破坏，基本能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。但如果元件只是轻微受损，损失更加难以预测， 因为这种器件在正常测试中问题不易被发现，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏。需要清楚的认识到的是：静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失。所以电子元器件的防静电等级判定和 ESD 预防显得尤为重要. MOS 管被击穿的原因及解决方案 这里解释一下第二个作用的原理：保护栅极G~源极 S：场效应管的G-S 极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的 G-S 极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其 G-S 极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。 以上就是MOS 管失效與預防之靜電擊穿的介紹,不知道對你有沒有幫助呢.