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无源器件－电容 双多晶电容（PIP） 由NMOS与CMOS双多晶工艺实现，其上下极板都为多晶，介质为薄氧化层。介质氧化层一般与栅氧同时形成。 电压系数为100ppm/V，温度系数100ppm/℃。多晶2的面积可以小于薄氧化层面积，从而只有较小的寄生电容（厚氧电容）。 由于双层多晶硅电容具有性能稳定、寄生电容小等优点，因此在MOS集成电路中有广泛应用。 第三十一页，共五十页。 无源器件－电容 MOS器件作电容 由于MOS管中存在着明显的电容结构，因此可以用MOS器件制作成一个电容使用。 如果一个NMOS管的源、漏、衬底都接地而栅电压接正电压，当VG上升并达到Vth时在多晶硅下的衬底表面将开始出现一反型层。在这种条件下NMOS可看成一个二端器件，并且不同的栅压会产生厚度不一样的反型层，从而有不同的电容值。 第三十二页，共五十页。 无源器件－电容 1、耗尽型区： 栅压为一很负的值，栅上的负电压就会把衬底中的空穴吸引到氧化层表面，即构成了积累区，此时，由于只有积累区出现，而无反型层，且积累层的厚度很厚，因此积累层的电容可以忽略。此时的NMOS管可以看成一个单位面积电容为Cox的电容，其中间介质则为栅氧。 当VGS上升时，衬底表面的空穴浓度下降，积累层厚度减小，则积累层电容增大，该电容与栅氧电容相串后使总电容减小，直至VGS趋于0，积累层消失，当VGS略大于0时，在栅氧下产生了耗尽层，总电容最小。 第三十三页，共五十页。 无源器件－电容 2、弱反型区 VGS继续上升，则在栅氧下面就产生耗尽层，并开始出现反型层，该器件进入了弱反型区，在这种模式下，其电容由Cox与Cb串联而成，并随VGS的增大，其电容量逐步增大。 3、强反型区 当VGS超过Vth时，其二氧化硅表面则保持为一沟道，且其单位电容又为Cox。 第三十四页，共五十页。 无源器件－电容 金属与多晶电容（MIP） 通过NMOS与CMOS硅栅工艺实现，在蒸铝之前用光刻的方法刻去多晶硅上的厚氧化层，然后在制作栅氧化层时在多晶硅上热生长一薄氧化层，最后蒸铝，从而得到了铝－氧化层－多晶硅电容。这种电容通常位于场区。 当然也可以用多晶硅作为电容的上极板，而金属作为其下极板，介质为氧化层构成电容。 第三十五页，共五十页。 无源器件－电容 MIP电容的特点： 可以对多晶条进行修正以获得较精确的电容值。 由于介质变化与张驰使得在Q－V中的滞后，所以CVD氧化层不适用于作为电容介质。 在多晶硅与衬底之间存在寄生电容，由于其介质为厚的场氧化层，因此该寄生电容很小，通常为所需电容的十分之一；而从可靠性考虑，其金属层必须大于介质氧化层，所以金属层与衬底间存在寄生电容，但其值则更小，只为所需电容的百分之一左右。 电压系数为100ppm/V，温度系数为：100ppm/℃。 第三十六页，共五十页。 * 　MOS器件物理 第一页，共五十页。 MOS管交流小信号模型 MOS管低频小信号模型 小信号是指对偏置的影响非常小的信号。 由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。 在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数，即为一个压控电流源，电流值为gmVGS，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图所示。 第二页，共五十页。 MOS管交流小信号模型 其中（a）为理想的小信号模型。 实际的模拟集成电路中MOS管存在着二阶效应，而由于沟道调制效应等效于漏源之间的电阻ro；而衬底偏置效应则体现为背栅效应，即可用漏源之间的等效压控电流源gmbVBS表示，因此MOS管在饱和时的小信号等效模型如图 (b)所示。 上图所示的等效电路是最基本的，根据MOS管在电路中不同的接法可以进一步简化。 (a) (b) 第三页，共五十页。 MOS管交流小信号模型 MOS管高频小信号等效电路 在高频应用时，MOS管的分布电容就不能忽略。即在考虑高频交流小信号工作时必须考虑MOS管的分布电容对电路性的影响， 所以MOS管的高频小信号等效电路可以在其低频小信号等效电路的基础上加入MOS管的级间电容实现，如图所示。 第四页，共五十页。 MOS管交流小信号模型 不同工作状态（截止、饱和、线性）时MOS管的分布电容值不同，因此若进行详细的计算比较困难，但可以通过软件模拟进行分析。 另外，在高频电路中必须注意其工作频率受MOS管的最高工作频率的限制（即电路的工作频率如高于MOS管的最高工作频率时，电路不能正常工作）。 第五页，共五十页。 有源电阻 MOS管的适当连接使其工作在一定状态（饱和区或是线性区），利用其直流电阻