模拟电子线路3.2结型场效应管.pptxVIP

3.2 结型场效应管; N沟道JFET管外部工作条件; VGS对沟道宽度的影响; VDS很小时 → VGD ?VGS; 当VDS增加到使VGD ?=VGS(off)时 → A点出现预夹断; 利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。; NJFET输出特性; 饱和区(放大区); 截止区; JFET转移特性曲线; JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。; 各类FET管VDS、VGS极性比较 ; 场效应管与三极管性能比较