模拟电子线路2.4晶体三极管的伏安特性曲线.pptxVIP

2.4 晶体三极管伏安特性曲线 伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。IB= f1E ( VBE )VCE = 常数IC= f2E ( VCE )IB = 常数共发射极输入特性：输出特性：+-TVCEIBVBEIC+-第一页，共八页。 输入特性曲线VCE =0IB /?AVBE /VVBE(on)0.3V10V0V(BR)BEOIEBO +ICBO VCE一定：类似二极管伏安特性。 VCE增加：正向特性曲线略右移。由于VCE=VCB+VBEWB?WBEBC基区宽度调制效应注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。因此当VBE一定时：VCE??VCB??? 复合机会? ? IB ? ?曲线右移。第二页，共八页。 输出特性曲线 饱和区（ VBE? 0.7V，VCE0.3V ）IC /mAVCE /V0IB = 40 ?A30 ?A20 ?A10 ?A0特点：条件：发射结正偏，集电结正偏。IC不受IB控制，而受VCE影响。VCE略增，IC显著增加。 输出特性曲线可划分为四个区域：饱和区、放大区、截止区、击穿区。第三页，共八页。 放大区（ VBE? 0.7V， VCE0.3V）IC /mAVCE /V0IB = 40 ?A30 ?A20 ?A10 ?A0特点条件发射结正偏集电结反偏VCE??曲线略上翘具有正向受控作用满足IC=? IB + ICEO说明IC /mAVCE /V0VA上翘程度—取决于厄尔利电压VA上翘原因—基区宽度调制效应（VCE?? IC略?）第四页，共八页。 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的修正方程：基宽WB越小?调制效应对IC影响越大?则?VA?越小。? 与IC的关系：IC0?在IC一定范围内?? 近似为常数。IC过小?使IB??造成? ?。IC过大?发射效率? ?造成? ?。考虑上述因素，IB等量增加时，ICVCE0输出曲线不再等间隔平行上移。第五页，共八页。 截止区（ VBE? 0.5V， VCE ? 0.3V）IC /mAVCE /V0IB = 40 ?A30 ?A20 ?A10 ?A0特点：条件：发射结反偏，集电结反偏。IC ? 0，IB ? 0近似为IB≤0以下区域 严格说，截止区应是IE = 0即IB = -ICBO以下的区域。 因为IB 在0 ? -ICBO时，仍满足第六页，共八页。 击穿区特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。注意：IB = 0时，击穿电压为V(BR)CEOIE = 0时，击穿电压为V(BR)CBOV(BR)CBO V(BR)CEOIC /mAVCE /V0IB = 40 ?A30 ?A20 ?A10 ?A0IB = -ICBO (IE = 0)V(BR)CBO第七页，共八页。 三极管安全工作区ICVCE0V(BR)CEOICMPCM 最大允许集电极电流ICM（若ICICM ?造成 ? ?） 反向击穿电压V(BR)CEO（若VCEV(BR)CEO ?管子击穿）VCEV(BR)CEO 最大允许集电极耗散功率PCM（PC= IC VCE，若PC PCM ?烧管）PCPCM 要求IC? ICM 第八页，共八页。