一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺.pdfVIP

  • 16
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 9页
  • 2023-05-05 发布于四川
  • 举报

一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺.pdf

本发明涉及手机外壳镀膜技术领域,且公开了一种手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺,将手机外壳放入镀膜室内,通过转架对手机外壳固定,设定转架转速为10‑12Hz,抽真空并对加热,设置加热温度为150‑250℃,本底真空镀压强设定为1.0*10(‑2)Pa。该手机外壳绝缘电阻膜层碳化铬硅镀膜工艺使用时,通过设置向镀膜室通入氩气并保持压强在2.0‑6.5Pa,Ar流量设定为100‑350,时间设定为3‑70M,通过偏压电源产生的四组圆柱靶靶电流对手机壳表面进行CrSi/CrSiC膜层镀膜,能够有效降低

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114293143 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111508115.8 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人 昆山

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档