山西省高三语文一模试卷.pdfVIP

山西省高三语文一模试卷--第1页 山西省高三语文一模试卷 姓名:________ 班级:________ 成绩:________ 一、 现代文阅读 (共 4 题；共 35 分) 1. （6 分） (2020·黑龙江模拟) 阅读下面的文字，完成下面小题。 材料一 芯片是电子产业的基石，一直以来，美国芯片技术的发展都领先于世界。近些年来，中国芯片技术也不断发展 壮大。前不久，中国芯片领域再次迎来重大突破。 据报道，我国科学家付出了很多心血，终于研发出一款新型垂直纳米环栅晶体管。垂直纳米环栅晶体管是芯片 2 纳米及以下技术的主要候选器件。中国科学家突破重重挑战，实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米 环栅晶体管的研发，并获得多项中外专利授权，这对于推动国产芯片技术的发展具有重大作用与意义。 目前，最先进的芯片技术还停留在7 纳米工艺制程，而华为的麒麟9905G 芯片正处于这一阶段，并且其首次实 现将 5G 调制解调器集成到系统级芯片上，已经在技术上实现了巨大突破。现如今，中国科学家再次研发2 纳米芯 片工艺所需器件，此项技术成熟后，国产2 纳米芯片有望成功“破冰”，或能帮助国产芯片早日实现弯道超车。 外国专家对华为一些智能产品做了分析拆解，得出的结论是，其使用的芯片全非美国生产，确已摆脱了对美国 芯片的依赖。有分析认为，切断对于华为的技术提供，将是中国整体研发芯片的里程碑式的转折。自此，中国将逐 渐摆脱对于美国提供的相关芯片及技术的依赖，甚至可能使得中国芯片技术超越美国。相信在5 年内，垂直纳米环 栅晶体管技术将逐步完善并成熟，国产芯片在技术上将实现全面突破。有了这一器件，美国芯片技术将不再遥不可 及，国产芯片未来可期。 （摘编自新浪科技） 材料二 GAA 全称：Gate-all-Around-，即环绕式栅极技术。这项技术的诞生，旨在解决5nm 以下制程面临的一系列极 端难题。传统FINFET （鳍式场效应晶体管）工艺在7nm 制程以下，很难解决材料极限、漏电以及物理结构搭建等难 题。业界倾向采用 GAA 技术作为下一阶段芯片制造工艺的解决方案。 众所周知，Intel 当前使用的芯片制程仍以 14nm 为主，此制程的栅极距是 70nm；而 Intel 新款 10nm 工艺下的 栅极距则是 54nm，然而，理论上业界公认的FINFET 工艺栅极距上限仅有 42nm，现有的 10nm、7nm、5nm 制程，已 接近 FINFET 的工艺极限。而在2023 年后，芯片制程达到5nm 以下时，栅极距将继续下探，届时，FINFET 工艺完全 第 1 页 共 25 页 山西省高三语文一模试卷--第1页 山西省高三语文一模试卷--第2页 失效。 根据调研机构IBS的数据，从65nm到5nm不同制造工艺设计研发成本如下（美元）： （注）仅为设计研发成本，不包含光刻机、原材料、生产成本。 （摘编自网易） 材料 由于科学技术发展的限制，现有的工艺水平还不能解决材料极限或漏电等难题。科学家已经研制出了一种新的 GAA技术。人类将能够实现5纳米、3纳米、2纳米甚至1纳米的芯片制程。这无疑是科学技术的又一次完美发展， 也许我们真的能够实现芯片行业的新一轮升级。 主要芯片制造业巨头，目前并未确定GAA技术为3nm之后的唯一选择。虽然三星、Intel乃至IBM、格罗方德 都曾展示过各自的GAA类方案，但都未明确声明这些方案将用于未来的量产阶段。 对中国的5G技术输出，西方国家表态不一，但这一来自东方的科技威慑，对传统的美国科技霸权已造成了穿 透伤害。5nm制程是今后一段时间5G芯片重要的工艺选择，而5G之后的下一代通信技术，势必对芯片性能、制造 工艺提出新的要求。美国提前对GAA技术展开封锁，目的无外乎对中国下一代通信技术所需的芯片制造方案，套上 “紧箍咒”。 从目前的行业刚需方面来看，国内对于顶级芯片制程需求较为迫切的企业，主要以麒麟系列CPU为主。而全行 业其他各门类产品的制程需求，依然集中在12-28nm这一区间，且仍处于投产初期和利润转化阶段。 未来3-4年内国内主要IC厂商（如中芯、华虹），能够消化吸收目前7nm-12nm的新工艺技术。台积电当前的 5nm产能是有麒麟一份的，而这一制程的生命周期乐观预计会持续到2024年之前。 在芯片领