光芯片行业专题报告-从II~VI和Lumentum看光芯片国产化.docx

光芯片行业专题报告-从II~VI和Lumentum看光芯片国产化 1.光芯片：光进铜退，光子领域核心元器件 1.1.原理：三五族化合物主导，实现光电信号转换 1.1.1.光芯片为激光器、探测器核心组成 激光应用广泛，其工作有赖于激光器与探测器。得益于方向性好、单色性好、能量密度高，激光不仅在光纤通信、工业制造等传统领域应用广泛，更在3D传感、车载激光雷达等新型领域日益普及。激光的输出有赖于激光器，根据增益介质的不同，激光器可分为气体激光器、液体激光器与固态激光器，而半导体激光器是固态激光器的典型形态；激光的接收则有赖于探测器，其又被称为光敏二极管。激光器、探测器的核心构成部分为光芯片，光芯片核心功能为光电信号转换。光芯片主要包括激光器芯片与探测器芯片：激光器芯片应用于半导体激光器中，实现电信号向光信号的转换，将电信号蕴含的信息通过激光输出；探测器芯片则在探测器中不可或缺，实现光信号向电信号的转换。 1.1.2.激光器芯片 1）工作原理：电激励为泵浦源，半导体为增益介质，输出激光 激光的发出有赖于泵浦源、增益介质、谐振腔三大部件。激光的输出需要外界提供能量，泵浦源（又称激励源）即负责向增益介质中的粒子提供能量，常见的泵浦方式有电泵浦、光学泵浦、核能泵浦等；增益介质用来提供向高能级跃迁的粒子，常用材料有氖气、有机染料、红宝石、半导体、光纤等；谐振腔指使光波在其中来回反射从而提供光能反馈的空腔，其作用是使腔内的光子具有一致的频率、相位和运行方向，使激光具有良好的方向和相干性，同时还能放大受激辐射的强度。激光器芯片将电激励作为泵浦源，以半导体材料为增益介质，通过谐振腔选模放大，进而输出激光，完成光电转换。 2）激光器芯片分类：谐振腔制造工艺差异，适用不同场景 按照谐振腔制造工艺差异，激光器光芯片可分为边发射激光器芯片（EEL）与面发射激光器芯片（VCSEL）两类。EEL在芯片两侧镀光学膜形成谐振腔，光子经谐振腔选模放大后，将沿平行于衬底表面的方向形成激光；VCSEL在芯片上下两面镀光学膜形成谐振腔，由于谐振腔与衬底垂直，光子经选模放大后将垂直于芯片表面形成激光。EEL与VCSEL各具优势，EEL的输出功率、电光转化效率更高，而VCSEL具有阈值电流低、单波长工作稳定、可高效调制、易二维集成、无腔面阈值损伤、制造成本低等优点。 EEL进一步分为FP/DFB/EML三类，应用场景相异。FP、DFB为独立器件，通过控制电流的有无来调制信息输出激光，故被称为直接调制激光器芯片（DML）。在DML中，FP激光器诞生较早，主要用于低速率短距离传输；DFB在FP激光器的基础上发展而来，采用光栅滤光器件实现单纵模输出，主要用于高速中长距离传输。DML通过调制注入电流来实现信号调制，然而注入电流的大小会改变激光器有源区的折射率，造成波长漂移（啁啾）从而产生色散，限制了传输距离；同时，DML带宽有限，调制电流大时激光器容易饱和，难以实现较高的消光比。电吸收调制激光器芯片（EML）较好地缓解了啁啾色散问题，它由EAM电吸收调制器与DFB激光器集成而来，信号传输质量高，易实现高速率长距离的传输，不过价格与能耗相对较高。 3）激光器芯片材料：三五族化合物为主流，光学特性较硅更优 三五族化合物泛指由元素周期表的三族与五族元素构成的合金化合物，种类丰富，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、砷化铟镓（InGaAs），根据所含元素种类数又可分为二元化合物如InP，三元化合物如1?，四元及更高化合物等。硅是目前工业中最主要的半导体材料，广泛用于集成电路，但在光电器件领域，三五族化合物却因具有更好的光学特性而更为重要。三五族化合物具有直接带隙，进而电子在高低能级间跃迁时效率更高，进而使芯片输出激光的效率更高。带隙是电子从低能级（价带）跃迁高能级（导带）所需吸收的最小能量，对应的是价带顶部与能带底部的能量差距。直接带隙是指在能量-波矢图中，元素电子的价带底与导带顶对应的波矢相同，反之，若二者波矢有异，则称为间接带隙。 对于直接带隙结构，电子在价带与导带间的跃迁只需满足能量守恒；对于间接带隙结构，由于价带顶与导带底的波矢不同，需在水平方向施加动量方可使电子完成跃迁，也即：电子跃迁过程涉及声子的吸收与发射——一方面，由低向高能级的跃迁必须要有声子参与，这导致跃迁发生的概率降低，间接带隙结构发生电子跃迁的概率约为直接间隙结构的1/1000；另一方面，跃迁释放的大部分能量会转换为声子而非光子。此二因素决定了直接间隙结构中电子在高低能级间的跃迁效率更高。如前所述，对于激光器芯片而言，输出激光的关键在于“半导体中的电子吸收能量，由低能级向高能级跃迁—电子由不稳定的高能级回落至低能级，在这一过程中以光子形式释放能量”，可见，电子跃迁的效率是激光输出效率的本源，故直接带隙结构的半导体更