半导体物理课后习题答案.docxVIP

第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值邻近能量Ec(k)和价带极大值邻近 能量EV(k)分别为： 2 k 2 2 (kk1) 2 2 2 2 2 Ec=h h ,EV(k) hk 1 3hk 3m0 m0 6m0 m0 m0为电子惯性质量， k1 ,a 0.314nm。试求： a 1）禁带宽度; 2）导带底电子有效质量; 3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） 导带： 由22k22(kk1) 0 3m0 m0 得：k 3k1 4 又因为： d2Ec 22 22 8 2 dk2 0 3m0 m0 3m0 所以：在k 3k处，Ec取极小值 4 价带： dEV 62k 0得k 0 dk m0 又因为d2EV 62 0,所以k 0处，EV取极大值 dk2 m0 因此：EgEC 3 EV(0) 2k12 (k1) 0.64eV 4 12m0 2 3m0 (2)mnC* d2EC 8 dk2 k3k1 4 2 m0 (3)mnV* d2EV 6 dk2 k 01 (4)准动量的定义：p k 所以：p( k) 3 (k)k0 3k107.951025N/s k 4 k1 4 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：f qE h k 得 t k t qE (0 ) t1 a 8.27 10 8 s 1019 102 1.6 (0 ) t2 a 8.27 10 13 s 1019 107 1.6 第三章习题和答案 1.计算能量在E=Ec到E 100 2 2之间单位体积中的量子态数。 EC * L 3 2mn V （ 2m*）2 1 解g(E) n (EEC)2 2 2 3 dZ g(E)dE 单位体积内的量子态数 Z0 dZ V Ec 100 2 Ec 100h2 3 2mnl 2 8mnl2 1 1 （2m*）2 Z0 g(E)dE V n (EEC)2dE V 2 2 3 EC EC 3 100h 2 V （2m*）2 2 32 Ec 2 EC) 8mnL 2 2 3 (E 3 Ec 1000 3L3 2.试证明实际硅、锗中导带底邻近状态密度公式为式（3-6）。 2.证明：si、Ge半导体的E（IC）~K关系为 （） EC h2kx2 ky2 kz2 ECk 2 ( ) 令kx ( ma)2 mt ml ,kz ( ma) kx,ky (ma )2ky 1 1 1 mt mt ml 则：Ec (k)Ec h 2 ky kz ) 2 2 2 2ma 在k系中,等能面仍为球形等能面  在E~EdE空间的状态数等于k空间所包含的 状态数。 即dz g(k) Vk g(k) 4k2 dk 2 kz 1 3 3 2 g(E) dz 4 2(mt mtml) (EEc)2 V 1 dE h2 关于 si 导带底在 个方向，有六个对称的旋转椭球， 100 锗在（ ）方向有四个， 111 1 mtmt ml 2 2mn 3 1 ) V g(E) sg (E) 2 (E 2 V 在k 系中的态密度g(k 3 4( 2 ) Ec) ma 1 h 2 k 12ma(EEC) mns3 mt2ml 3 h 当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费米散布函数和玻耳兹曼散布函数计算电子占有各该能级的概率。 费米能级费米函数玻尔兹曼散布函数 1 EEF EEF f(E) f(E)e k0T 1eEEF k0T 1.5k0T 0.182 0.223 4k0T 0.018 0.0183 10kT 4.54105 4.54105 0 画出-78oC、室温（27oC）、500oC三个温度下的费米散布函数曲线，并进行比 较。 ** NC,NV以及本 5.利用表3-2中的mn，mp数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的 征载流子的浓度。 NC 2( 2koTmn ) h2 5Nv 2( 2koTmp ) h2  3 2 3 2 Eg 1 ni(NcNv)2e2koT 计算硅在-78oC，27oC，300oC时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？ Si的本征费米能级，Si:mn1.08m0,mp0.59m0 E C E 3kT mp EF Ei V ln 2 4mn 当T1 195K时，kT1 3kT 0.59m0 0.0072eV 0.016eV, ln 4 1.08m0 当T2 300K时，kT2 0.026eV,3kT 0.59 ln 0.012eV 4 1.08 当T2 573K时，kT3 0.0497eV,3kTln 0.59 0.022eV 1.08 4 所以假定本征费米能级在禁带中间合理，特别是