从专利角度分析ITO靶材的研究现状及发展趋势.docxVIP

? ? 从专利角度分析ITO靶材的研究现状及发展趋势 ? ? 罗蓉丽，安正源，庄 健，王应武，朱新祥，汪玲玲 1 引言 我国是世界第一产铟大国，铟资源丰富，全球70%的铟来自我国，但是目前因为铟产业的深加工方面落后，导致大量初级原生铟出口流失，附加值过低，经过国外加工，又高价购买高附加值产品，如高品质ITO靶材长期依赖国外进口。由于我国在ITO靶材制备技术研究起步较晚，国外在制备技术上对我国进行封锁，目前，我国制备的ITO靶材只能满足低端产品的要求。近年来，随着液晶显示行业的发展，对ITO靶材的需求不断増加，ITO靶材的研究也越来越迫切，我国新材料产业“十二五”重点产品中指出氧化铟锡（ITO靶材）作为“十二五”攻关重点项目立项研究，在多年的努力下，在ITO靶材制备技术方面取得了一定的成果。国内生产ITO靶材的企业主要有华锡集团、株冶、山东蓝狐、宁夏工厂、北京冶科、广西晶联等，但产量不大，不能满足国内显示器发展的需求。因此，我国必须优先发展具有自主知识产权的ITO靶材制备技术，基于上述背景，本文以ITO靶材的国内外相关专利为研究对象，运用专利信息分析方法，深入分析ITO靶材的发展趋势、核心技术、竞争对手的专利布局情况，帮助我国相关研制单位确定研究方向、获得技术启发、借鉴先进技术，从而促进高端靶材国产化进程，充分发挥我国铟资源的优势，对调整铟产业链结构也具有十分重要的意义。 2 ITO靶材专利申请态势分析 2.1 全球专利申请趋势 本次全球检索共获得ITO靶材相关专利25960件，国内11316件，国外14644件。图1反映的是自2003年以来在ITO靶材专利申请量趋势，从整体上看，国内的申请量整体呈上升趋势，国外专利申请呈下降趋势，我国在2011年的专利申请量超过了国外。（需要说明的是，由于专利申请文件从申请到公开通常需要18个月，而数据只有在公开后才会被收入数据库中，并且同时数据库更新存在一定时滞，因此截止本报告数据检索日，2021年至2022年之间提出的部分专利申请尚未在专利检索库中公开，因此本文未对2021年至2022年专利申请数据进行统计，后文对此现象和原因不再赘述）。图2为中国和世界其他国家/地区申请量比较。从各国申请趋势来看，日本、韩国、美国在ITO靶材领域申请专利较早，且ITO靶材生产工艺较成熟，目前液晶显示器原材料也主要来源于这几个国家，我国起步晚但发展迅速，在2006年超过美日韩成为全球专利申请数量最多的国家。 图1 ITO靶材全球专利申请量趋势 图2 中国和世界其他国家/地区申请量比较 2.2 主要申请人分析 图3为中国申请人类型构成，从图可以看出，我国ITO靶材领域的创新主体是企业，占比为66.47%，其次是大专院校，占比为25.08%。 图3 中国申请人类型构成 表1为在华排名前10的申请人及其申请量，从表1的申请人可以看，排名10中有4家是企业，6家是高校。ITO靶材国内主要申请人为京东方、电子科技大学、华南理工大学等。表2为排名前10的国外申请人，由此可见，国外主要申请人是韩国LG、三星公司，日本出光兴产株式会社、住友、三菱、东曹等公司。其中京东方的主要研究方向为显示器领域，电子科技大学的主要研究方向为太阳能电池领域，华南理工大学的主要研究方向为太阳能电池、发光二极管等领域。韩国LG、三星公司主要研究方向为显示器领域，而日本出光兴产株式会社、住友、东曹的研究方向主要为溅射靶，氧化物半导体薄膜的制备；日本三菱的主要研究方向为ITO粉末的制备；日本松下电器主要的研究方向为液晶显示器领域。 表1 排名前10的国内申请人 表2 排名前10的国外申请人 在ITO靶材领域，国外申请人排名前十中，日本占7家，分别是出光兴产株式会社、半导体能源研究所、住友、三井以及东曹等公司。韩国2家，分别是LG公司和三星集团；美国1家。由此可见，日本作为ITO靶材的研究较早的国家，其在该领域的申请量遥遥领先于其它国家，已经打造出制粉、制靶、镀膜及平板显示器件制造完整的产业链。 2.3 其他国家在华申请情况 图4为其他国家的在华申请量。排在前四位的分别为日本、韩国、美国和德国。日本在ITO靶材领域拥有成熟的制备技术和先进的装备，并在全球进行了专利布局，在中国布局了471项专利。其次是韩国，韩国紧随日本在ITO靶材领域取得了突破性的进展，打破了日本企业在靶材制备方面的技术垄断地位，韩国在华也布局了138件专利。日本在华的主要申请人为半导体能源研究所、三井和日矿金属等，研究方向主要是ITO粉末、靶材、镀膜及显示器。韩国在华的主要申请人是LG和三星公司，研究方向主要为显示器及靶材的制备。其中日本、韩国主要通过粉浆浇注-常压烧结法制备ITO靶材，美国、德国主要通过热等静压法制备ITO靶材，而我国主要采用气氛烧结法制备ITO靶材。 图