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微细加工中的聚焦离子束系统 近年来，专注于纳米断层扫描技术的应用前景引起了人们的关注。 文章首先介绍了FIB系统及其工作原理, 然后结合笔者所做工作介绍了FIB技术的三种基本加工手段:刻蚀、离子辅助沉积和离子注入, 最后指出了聚焦离子束 (FIB) 技术的特点和发展趋势。 1 离子束尺寸大小 FIB系统主要由离子源、离子束聚焦/扫描系统和样品台组成。FIB系统的结构示意图如图1所示。在离子柱顶端的液态金属离子源上加强电场获得带正电荷的离子, 通过位于柱体中的静电透镜、八极偏转装置将离子束聚焦成很小的离子束斑, 轰击位于样品台的样品。 FIB的发展是由离子源的发展所决定的。离子源为FIB系统提供稳定的、可聚焦的离子束, 其尺寸大小直接影响FIB系统的分辨率。表征离子源的主要参数为亮度、源尺寸、稳定性和寿命等。目前FIB系统常用的是液态金属离子源 (LMIS) , 液态金属离子源包括Au、Cs、In、Bi、Pb、Ga等。由于Ga 目前世界上生产FIB设备的主要厂商有FAI、FEI、Hitachi、JEOL、Seiko和NANOFAB等。FIB系统中主要可调节参数有电压、电流、离子束入射角、离子剂量、辐照时间等。以FEI Quanta 3D 200系统为例, 最大电压为30 k V, 最大电流密度是58 A/cm 离子束轰击固体材料表面, 与材料中电子和原子发生作用并将部分能量传递给样品材料中的电子和原子, 固体近表面的原子获得足够大的能量而最终逸出固体表面产生溅射;收集离子束轰击样品过程中产生的二次电子或二次离子, 还可以在离子束加工过程中实时获得加工表面的显微形貌。离子束流与材料的作用原理决定了聚焦离子束具有刻蚀、沉积和离子注入等功能。 2 专注于复合网络系统的应用 2.1 离子束加工原理 由于离子具有较大质量, 经加速聚焦后轰击材料表面会发生溅射, 通过逐点扫描的方式可以对材料表面进行微区刻蚀。刻蚀深度由束流大小、刻蚀面积和刻蚀时间等参数决定, 刻蚀的形状由离子束的扫描范围决定。周期性微纳米结构的加工有两种解决方案:一种是改变束斑与束斑之间的重叠度, 使能量分布不均匀并在空间具有周期性, 从而制备出规则纳米结构 为了提高离子束刻蚀的速率和离子束刻蚀对不同材料的选择性, 通常在刻蚀过程中用气体注入系统加入一定量的刻蚀气体以增强刻蚀。其基本原理就是用高能离子束将惰性的辅助刻蚀气体分子 (如卤化物气体) 变成活性原子、离子和自由基, 这些活性基团与样品材料发生化学反应生成挥发性物质, 脱离样品后被真空系统抽走, 从而实现快速刻蚀。该技术的最大特点是可以大幅度提高刻蚀速率、刻蚀对材料的选择性和结构侧壁的垂直性等。 2.2 无扰模离子注入 高能离子在与材料原子的相互作用过程中, 离子的能量逐渐减小并最终留在材料内部, 这种现象称为离子注入。利用FIB可以对特定的区域甚至点进行无掩模离子注入, 并且能够精确控制注入的深度和剂量。比如, 利用合金液态金属离子源 (如Au Si Be、Co Ne) FIB系统 (配有质量分析器) 可以选择不同的离子 (如Au、Si、B、As、Ga、In等离子) 注入到同一样品, 从而在一定范围内形成特定的掺杂或具有特定物化性质的薄膜。研究发现, 当镓离子注入浓度足够大时, 注入区域在特定的蚀刻剂如KOH中或反应离子刻蚀中蚀刻速率将显著下降 2.3 离子束流对薄膜沉积速率的影响 FIB能够无掩模沉积金属和绝缘材料。通过样品室中安装的气体注入系统将金属有机物气体喷涂到样品上待沉积区域, 高能离子束的轰击导致有机物发生分解, 分解产物中的固体成分 (如Pt、Si O 沉积速率与有机物分解速率和溅射速率有关。当离子束流较小时, 随着束流的增大, 金属有机气体的分解速率加快, 薄膜的沉积速率也相应加快。在合适的束流下所有气体被完全分解利用, 此时, 沉积速率达到最大值。若离子束流继续增大, 与气体反应后多余的束流会对已沉积的区域产生溅射作用, 使沉积速率逐渐减小。 3 微机械fib FIB具有离子刻蚀、离子注入和薄膜沉积功能。FIB加工对材料几乎无选择性, 定位准确, 分辨率很高 (可以达到数个纳米量级) , 且可实现无掩模加工。FIB系统在微米/纳米技术中得到广泛应用, 特别是在显微分析、精细加工和三维微结构直接精确成型方面最为突出。但FIB系统的主要缺点是加工速率低。随着液态金属离子源亮度和束斑稳定性的不断提高, FIB系统将是未来微米/纳米加工技术的主流工具, 应用将更加广泛。