钙镁耦合比例对不同工段降水除硅的影响.docxVIP

钙镁耦合比例对不同工段降水除硅的影响.docx

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钙镁耦合比例对不同工段降水除硅的影响 1 入离子膜的方式及影响 公司(以下简称“公司”)岩盐属于硫酸钠,原料卤水中含有杂质caso。 水中的硅以两种形态存在,活性硅(单体硅)和胶体硅(多元硅)。由于胶硅粒径较小,为10 原硅酸(H 精制盐水中的杂质进入离子膜的方式有以下几种:阳离子在电场力的作用下进入膜中;中性或两性杂质随着水的迁移进入膜中;阴离子随着水的迁移进入膜中,但是,由于电场力作用,其进入的速度很慢。进入离子膜后,杂质会沉积在膜的阳极侧表面,穿过膜取代钠离子,沉积在膜里面,其所沉积的位置和颗粒的大小决定了其对离子膜性能的影响。同时,杂质也有可能对电极的活性产生影响。杂质会以氢氧化物,盐或复盐的形式沉积下来,其沉积的溶解度决定了沉积的位置、颗粒大小及影响。如果杂质沉积在靠膜的阴极侧表面位置,会对膜造成机械损伤,并导致电流效率下降;如果沉积在膜中,将导致槽电压上升。杂质造成的影响是累积的,即使杂质的量不大,长时间的影响也是很大的。例如,在碱性条件下,会出现H 2 现有硅法的去除方法 2.1 混合制造硅 主要是利用吸附和凝聚原理。如镁剂脱硅、铝盐脱硅、铁盐脱硅、石灰脱硅。 2.2 脱盐率的分析 主要用于净化锅炉补给水,减轻离子交换系统负担。该法除硅的同时,对水中离子的脱盐率最高99.6%。因盐水要确保氯化钠浓度稳定的情况下除硅,氯化钠是有用成分不能去除,所以对盐水除硅不适用。 2.3 超滤硅胶体硅 此法利用膜筛分机理,无法去除溶解的硅酸盐。 2.4 气浮分离胶体硅 此法工艺流程较为繁琐且需引入捕收剂和起泡剂。 2.5 除硅光刻 此法对水质要求较高,需要对水进行预处理,如粗滤、超滤、反渗透等,总体费用偏高。 2.6 脱硅离子交换法 此法可以深度除活性硅,但成本相对较高,且无法除去胶体硅。 2.7 防止清洁剂抑制硅清洁 此法抑制硅垢形成,与目的相反。 2.8 预处理脱硅法 如紫外法,超声法,尚不具备实用性。 如上分析,在水处理已经有比较成熟的工艺或方法,而盐水去除活性硅和胶体硅尚无较好的应用实例。胶体硅一般由单分子的正硅酸聚合而成,在水中比较稳定,离子交换树脂无法与其进行离子交换将其去除。活性硅的尺寸比胶体硅小得多,这样大多数的物理过滤技术如混凝澄清、过滤和气浮等均无法脱除活性硅。能够有效脱除活性硅的过程是反渗透、离子交换和连续电去离子过程,其费用高,水质要求的纯度高,对于氯化钠接近饱和含有钠离子、氯离子卤水,均会降低或脱除氯化钠,所以,这些方法不能满足卤水的除硅要求。 化学法脱硅是利用某些金属的氧化物或氢氧化物对硅的吸附或凝聚来达到脱硅目的的一种物理化学方法。这是一种非深度脱硅方法。在实际的水处理过程中,常将镁剂和石灰一起使用以保证脱硅效果。它是在石灰处理过程中加入含有镁元素成分的药剂,通过镁离子与水中硅酸化合物的复杂反应,絮状氢氧化镁的粒子表面吸附硅酸化合物,形成难溶的硅酸镁,在某种程度上也发生了硅酸胶体的凝聚和硅酸钙的生成,达到去除硅酸的目的。 化学法除硅是目前主流的除硅方法,具有简单快速无需复杂设备的特点。镁剂除硅在20世纪50年代我国以及前苏联在水处理中应用相当广泛。它的优点是比离子交换法除硅便宜,而且生成物是沉淀颗粒不溶于水,没有污染,与离子交换除硅相比,可节约大量的酸碱用量。 3 实验部分 3.1 实验背景 精制盐水中高含量杂质硅的存在严重影响了盐水质量。化学法除硅是目前主流的除硅方法,具有简单快速无需复杂设备的特点。原卤中主要杂质为Ca 3.2 实验的目 探究不同的Ca∶Mg耦合比例,对降硅效果的影响。 3.3 镁剂除硅法 化学法脱硅是利用某些金属的氧化物或氢氧化物对硅的吸附或凝聚来达到脱硅目的的一种物理化学方法。这是一种非深度脱硅方法。其中镁剂除硅是沉淀水处理最常用的方法。它是在石灰处理过程中加入含有Mg元素成分的药剂,通过Mg 采用氢氧化钙为原料制备的氢氧化镁粒度小,过滤困难,易吸附硅、钙、铁等杂质离子,所得六方片状晶体厚度小,微观内应变增大,团聚严重 3.4 粗卤/镁剂法 根据卤水净化工段分为三组实验: (1)在原卤中(Ca (2)取反应粗卤(折流槽卤水),加入不同比例的钙剂、镁剂,反应沉降后取样检测硅元素的变化情况。 (3)取反应精卤(陶瓷膜卤水),加入不同比例的钙剂、镁剂,反应沉降后取样检测硅元素的变化情况。 4 mg含量对硅去除率的影响 因氢氧化镁是一种絮状沉淀物,故在实验过程中盐泥的量也是一个重要的指标,在基于Ca∶Mg比例的变化情况下,所得到(1)法的初始数据现象如表1。 从表1数据可以看出随着镁离子含量的不断增大,原卤中的硅含量不断降低,但当Ca/Mg比达到1∶1时,沉淀絮凝物含量明显增大很多,其高度约对比实验中的5倍,不利于实际生产,且镁剂增加了4倍,只降低了4%的硅,经济性欠佳,因此进一步

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