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变磁通记忆电机磁化性能分析 0 电机转速分析 由于其工作效率高、功能复杂等特点，永行电机在工业、国防、日常生活等方面得到了广泛应用。传统永磁电机中永磁体性能稳定，气隙磁通很难调节，随着转速的上升，电机端电压随之升高，在电机端电压达到逆变器所能输出的电压极限时，为实现进一步扩速，通常采用弱磁控制，即通过增加持续的直轴去磁电流来削弱气隙磁场，从而维持电压平衡关系。但直轴电流的存在也使得定子铜耗增加，电机的效率随之降低，且由于永磁体位于直轴磁路上，直轴电感较小，电机的弱磁能力有限，使得电机调速范围较窄。 2001年德国学者V.Ostovic首先提出了变磁通电机（Variable Flux Memory Motor,VFMM) 目前对变磁通记忆电机的研究主要集中在优化拓扑结构及研发高效控制方法上 1 电机转子结构 本文所采用的变磁通记忆电机拓扑如图1所示，具体设计参数见表1。 电机定子与传统永磁同步电机定子结构相同，其上只设置一套绕组，通过向定子绕组中通入短时三相对称正弦电流以获得直轴电流脉冲，从而产生充退磁磁场。 电机转子由低矫顽力永磁体Alnico、铁心以及若干交轴隔磁槽组成。其中，Alnico永磁体呈辐条放置，并进行切向充磁，起到聚磁作用，增大每极磁通，且切向式转子结构磁阻转矩较大，可提升电机转矩密度。但切向式转子结构转矩脉动较大，对此，本电机采用了不等气隙结构，使气隙磁通密度分布更加正弦，减小电机的转矩脉动。另外，由于Alnico永磁体矫顽力较低，磁化状态容易发生改变，若仍采用传统弱磁型结构，电机正常工作时，负的直轴电流容易使永磁体退磁，降低永磁体的工作点，减小电机的输出，因此本电机采用增磁型结构，即在电枢绕组中通入正的直轴电流。此时，为利用磁阻转矩分量，电机需设计成反凸极性，即L 2 磁场强磁法与alnuso永磁体磁 Alnico永磁体实际磁化特性曲线如图2所示，可由永磁体的磁化实验得到。最大的磁滞回环表示Alnico永磁体的完全磁化曲线，内部各磁滞回环为Alnico永磁体的局部磁化曲线。所有磁滞回环均由上升和下降部分组成，其中，g(H)和f(H)分别为完全磁化上升曲线和完全磁化下降曲线。各个磁滞回环在第一象限的重合线N(H)，即为Alncio永磁体的初始磁化曲线 在商用有限元软件中，计算永磁体的工作点时，一般只采用磁化下降曲线。因此在变磁通记忆电机中，要确定Alnico永磁体在不同充退磁电流下的工作点，需得到充退磁磁场与Alnico永磁体磁化下降曲线之间的关系。为避免大量的实验，且能准确模拟非线性材料铝镍钴永磁体的磁化特性，本文提出了一种新型的永磁体磁滞模型：将各条局部磁化下降曲线近似认为是由完全磁化下降曲线做平行移动得到的一簇曲线，根据永磁体的完全磁化下降曲线和初始磁化曲线，即可以快速准确地计算出铝镍钴永磁体在任意充退磁磁场强度下的磁化下降曲线。图3和图4分别为本文提出的充磁和退磁时的磁滞模型，下面将结合此磁滞模型，分析充退磁过程中Alnico永磁体磁化曲线的计算过程。 首先结合磁化特性实验数据，f(H)、N(H)函数表达式可由多项式拟合得到。 在充磁模型中，完全磁化下降曲线上任意一点的磁通密度可表示为 局部磁化下降曲线可由完全磁化下降曲线平行移动一定距离D得到，其方程可表示为 式中，D与施加的充磁磁场强度有关。 在施加直轴电流脉冲对Alnico永磁体充磁时，可得到Alnico永磁体的磁通密度B 此时完全磁化下降曲线与局部磁化下降曲线之间的距离为 将式（4）代入式（2），即可得此时所对应的局部磁化下降曲线为 如图4所示，当施加直轴电流脉冲对Alnico永磁体退磁时，永磁体的磁通密度会沿着磁化下降曲线下降至点Q，可得到此时Q点的磁通密度B 当去掉退磁电流后，磁通密度会沿着回复线 退磁后永磁体的磁化曲线即为经过S点的磁化下降曲线。由前述充磁模型中分析可知，求出S点磁通密度，根据式（5）即可计算出此时的磁化下降曲线。 回复线 联立式（7）和式（8），即可计算出S点的坐标。 因此，通过上述磁滞模型，在施加任意充退磁磁场时，已知Alnico永磁体单元的磁通密度分布，即可计算出此时Alnico永磁体的磁化下降曲线，继而可以计算出不同充退磁电流作用后电机的各项性能参数。 3 永磁体初始市场磁化 下面将结合有限元软件JMAG对电机进行磁化分析，图5为变磁通记忆电机充退磁分析的有限元仿真流程。 考虑到Alnico永磁体中各单元磁通密度分布不均匀，在本模型中，先对Alnico永磁体进行了分块处理。当对Alnico永磁体进行充磁分析时，将Alnico设置成软磁材料，其磁化曲线为Alnico的初始磁化曲线。当施加某个充磁电流时，可得到永磁体单元的磁通密度分布，根据充磁模型可得到此时所对应的磁化下降曲线。当对Alnico永磁体进行退磁分析时，将