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cis相机的现状与未来 在尽管已经扩展的相机市场的核心是图像传感器，它用于捕捉光，并将其转换成电子硅基半导器。1960年代后期由贝尔实验室发明的电荷耦合器件 (CCD) 技术多年来一直统治着图像市场。今天, CMOS图像传感器 (CIS) 的图像质量已经可与CCD分庭抗礼, 再加上价格更低、功耗更小, 所以最新式的CIS正在渐渐取代较旧的CCD技术。 由于CMOS设计能够将图象处理和模数转换集成到芯片上, 而且CMOS相机不需要CCD那么多的电路和电路板, 因此数码相机的制造成本不再那么昂贵。目前有相当多的CIS制造商, 比如Micron (收购了Photobit) , OmniVision, STMicroelectronics (收购了VLSI Vision) , Mitsubishi和Kodak等. 除数码相机以外, CIS还扩展到其它市场, 包括PC相机、玩具与游戏、相机电话、汽车、安全和监督系统、生物测定、医疗器械和个人数字助理等。 众所周知, 封装会使C I S的成本增加了30%。CIS最初是被装配到带有玻璃盖的陶瓷封装中, 例如Amkor的VisionPak就是一种陶瓷无铅芯片载体。这种方案比较昂贵而且会占用很大的相机内空间。在当前的市场上, CIS相机模块是作为一个完整的制造方案来提供的, 它将图像CIS芯片与DSP、光学系统、无源组件和挠性电路集成在一起。所有的大封装公司, 包括ASE、SPIL、Amkor和STATSChipPAC等, 都提供这样的模块解决方案。这种板上芯片 (chip-on-board) 模块的一般示意图如图1所示。 虽然这种封装可以节省空间和重量, 但是并没有很快地被CIS制造商们所采用。这是因为, 主流的W L P将互连结构 (焊球) 制作在硅器件的表面, 而且切割好的W L P芯片被面朝下地装配到P C B板上, 但是CIS芯片必须面朝上地装配。一个显而易见的解决方案是将C I S的有源区面朝上, 而用于互连的面阵列接触则被放置在器件背面。Shellcase (最近已被Tessera收购) 是第一个提出这种光电晶圆尺寸封装 (CSP) 技术的公司。 在2005年底, Schott公司把它的光学WLP技术转移到了新加坡。目前已开始按计划逐渐放量生产, 预计2006年底的产能将增加到每月7000片以上。Schott公司的典型光学WLP制程包含以下6个步骤: 1.在器件表面覆盖一层5 0 0?m厚的Borofloat 33抛光玻璃盖片, 它的热膨胀系数和硅相匹配。使用丙烯酸聚合物胶来粘合玻璃盖片, 或者对于密闭结构, 采用Schott的专门玻璃技术进行粘合。 2.将晶圆减薄到约100?m。这样可使得封装部分不是那么突出。 3.使用抗蚀掩膜版进行等离子刻蚀, 同时形成通孔和切片迹道。通孔向下切割到器件外围焊垫的背面, 并被刻蚀成70℃的侧墙, 以方便接下来的光刻和溅射覆盖。 4.在低于180℃的温度下, 将一层PECVD氧化硅 (或Schott Novolay层) 淀积到切片迹道上进行绝缘。使用光刻胶进行第二次等离子体刻蚀, 选择性地从通孔/迹道的底部开始去除绝缘层, 直至露出金属焊垫的背面。然后淀积绝缘体 (苯三丁烯等聚合物) 和金属 (铜或铝) 再分布迹线, 并通过通孔的开口接触到焊垫背面 (图3) 。如果需要完全密闭的封装, 可用一层由Novolay技术淀积的玻璃来替代聚合物绝缘体中的一层。 5.无铅焊球被丝网印刷或放置到焊垫的镍U B M上。 6.利用前面暴露出来的切片迹道来将芯片切割分开。 这种封装结构的截面图如图4所示。图5显示的是用光学WLP制程封装的CIS。 通过提供用于模块集成的完全密闭的器件, 这种封装技术使由污染颗粒所导致的CIS成品率损失大大降低。除此之外, 该公司还为将来的光学模块小型化准备了一个集成平台, 可提供集成光学功能如晶圆级的红外滤波器外罩和镜头等。有消息说这种光学WLP技术目前已量产。 因为CIS本质上是光学元件, 所以每一步都必须小心以最大限度地降低污染。一旦器件被封装起来, 任何残留的碎片永远都是明显地表现为有缺陷的 (暗) 象素。理想情况下, 从硅晶圆制程到封装的所有制造步骤都应该在同一个超净间内完成, 以使暴露和搬运最小化。这样还可以省略掉硅与光学层之间的典型钝化层, 通常钝化层会浪费掉高达20%的入射光。 在过去的几年中, Schott公司与FraunhoferIZM合作开发晶圆级封装 (WLP) 技术, 将传统的晶圆级技术与该公司特有的玻璃合成及光学专项技术结合起来。1990年代发展起来的WLP技术的优势在于尺寸小、重量轻和成本低。