半导体硅片研磨液的组成及作用.docxVIP

半导体硅片研磨液的组成及作用 目前，集成电路（ic）技术已迅速发展，是世界上最新、最庞大的行业之一。 在硅片加工成型过程中研磨是一道重要的工艺。这是由于切片之后的硅片没有合乎半导体制程所要求的曲度、平坦度、平行度, 又因为硅片抛光过程中表面磨除量仅约5μm, 所以无法大幅度改善硅片的曲度与平行度。这使得研磨成为硅片抛光制程之前, 有效地改善硅片表面质量的前提和基础 1 晶片研磨过程控制 硅片研磨是磨料对工件表面的切削、活性物质的化学作用及工件表面挤压变形等综合作用的结果。某一作用的主次程度取决于加工性质及加工过程的进展阶段。研磨的实质是用游离的磨粒通过研具对工件表面进行包括物理和化学综合作用的微量切削, 其速度很低, 压力很小, 经过研磨的工件获得0.001 mm以内的尺寸误差, 表面的粗糙度可以达到0.1μm, 甚至更小, 表面几何形状精度和一些位置精度也可进一步提高。 晶片研磨过程的控制, 是以研磨盘转速与所施加的荷重为主。首先研磨压力须由小慢慢增加, 以使研磨浆料能够均匀散布, 及去除晶片上的高出点 (高出点为研磨过程中最初应力集中之处, 在高荷重时容易破裂) , 稳定态的研磨压力一般在100 g/cm 由于硅片的抗拉强度比抗压强度小, 故在给磨粒加压时, 就在硅片加工表面的拉伸应力最大部位产生呈圆锥状或八字状等形状的微裂纹;当压力解除时, 最初产生的裂纹中的残余应变复原, 结果又新产生拉伸应力大的部分, 如此反复。当纵横交错的裂纹扩展并互相交叉时, 受裂纹包围的部分就会产生脆性崩碎形成碎片, 即形成磨屑, 最后脱离工件, 从而达到表面平坦化的目的。在硅片的研磨加工中, 研磨液是影响研磨质量的最重要因素。 2 研磨溶液的组成和作用 研磨液一般的主要成分为:增稠剂、分散剂、p H调节剂、表面活性剂与螯合剂等 2.1 形成胶片的纤维 增稠剂又称胶凝剂, 它主要是用来提高研磨液粘度, 使磨料保持均匀的稳定的悬浮状态或乳浊状态, 或形成胶体。增稠剂种类较多, 选择时除要考虑产品的流动性、透明度、稠度、凝胶性、悬浮力与屈服值外, 还应注意选用用量少而增稠效果好, 与主体成分相容性好而不产生相分离, 储存时不引起霉变和离析的水溶性高分子化合物。一般采用的增稠剂为:多糖类高分子化合物 (淀粉、黄原胶) 2.2 表面活性剂的作用机理 分散剂主要采用一种在分子内同时具有亲油性和亲水性两种相反性质的界面活性剂。可均匀分散那些难溶解于液体的无机固体颗粒, 同时也能防止固体颗粒凝聚沉降, 达到悬浮磨料的效果。分散剂的作用机理:这些界面活性剂吸附于固体颗粒的表面, 使凝聚的固体颗粒表面易于湿润。高分子型的分散剂, 在固体颗粒的表面形成吸附层, 使固体颗粒表面的电荷增加, 提高形成立体阻碍的颗粒间的反作用力。磨料通常硬度很高, 加入分散剂可使研磨液具有良好的分散性, 使磨料分布均匀, 并且短时间内不会产生沉淀, 在很大程度上提高了研磨速率和研磨质量。如果磨料分散不均匀, 则会使表面平整度 (TTV) 大大下降且容易产生划伤。在研磨液中一般采用三聚磷酸盐类或聚丙烯酸类分散剂 2.3 磨料与碱的协 在研磨过程中, 由于磨料的对硅片磨损, 而造成表面产生一片原子损伤层 (硅原子间距0.117 nm, 损伤层为几个微米) 。这个损伤层表面存在大量的新断开的化学键, 活性很强 研磨液中添加碱性物质, 可以与硅片损伤层表面的硅原子发生反应, 表面生成半程亲水性的硅氧化合物, 这样在研磨的过程中, 能增加硅片表面的润湿性, 从而减少硅片表面点划伤缺点码的增多。磨料与碱也起着强烈的化学吸附作用 (磨料与碱发生化学反应) , 磨料与硅片之间, 在与碱液反应后, 新生断键相互作用, 如静置时间较长后, 很难将磨料与研磨液从硅片上冲洗下来, 所以研磨液的p H不能过高 (目前国外的研磨液产品均呈现弱碱性, 如美国PRP公司生产的Aqualap?200, p H为8.5~9.5) ;研磨工艺完毕后, 应该立即用水冲洗硅片与研磨台面 现在通常加入的是有机碱, 如果采用无机碱, 会引入额外的金属离子, 这些金属离子在研磨过程中, 会附着在硅片表面, 导致其清洗困难。有机碱除了有调节p H的作用以外, 还对金属离子有螯合作用。研磨液一般用去离子水稀释十几倍后进行使用, 目前所用到的有机碱通常是有机胺类, 它具有一定的缓冲作用, 使溶液的p H在一定范围内保持稳定状态 2.4 fe研磨液的稳定性 据文献报道, 重金属杂质Fe会对硅片造成最严重的重金属污染, 当Fe浓度达到10 在研磨液中, 一般加入乙二胺四乙酸及其钾盐, 它有五个螯合环能和几十种金属离子形成稳定的螯合物 2.5 合成硅片研磨液 加入表面活性剂的目的主要是润湿磨料粒子与硅片表面, 乳化研磨液内部组分, 并在研磨