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蓝宝石单晶的超光滑无损伤表面加工 在应用蓝莓技术时，需要一个高质量的表面，这对蓝莓的表面加工提出了高要求。例如，用于支撑结构的蓝莓表面的粗糙度通常需要达到（1.0.2）m，研磨后应达到0.3nm。但蓝宝石单晶因硬度高、化学性能稳定, 属于典型的难加工材料。目前, 蓝宝石的加工需要采用切片、研磨、抛光等多道工序, 为了获得具有良好平面度和表面光滑无损伤的蓝宝石微片, Tanikella等 但是, 关于在研磨阶段使用不同粒径的磨料对研磨后与化学机械抛光后的损伤层、粗糙度等的影响以及对最终产品的表面粗糙度有无影响尚未见报道。本工作采用两种不同粒径:W28 (粒径为28μm) 、W7 (粒径为7μm) 的碳化硼 (B 1 实验 1.1 晶体生长 采用泡生法生长晶体。原料采用纯度为99.999%的Al 1.2 研磨固结磨料w2 试验设置为对照组和实验组, 实验所有的蓝宝石晶片样品尺寸为45 mm×45 mm×0.75 mm的 (0001) 晶面, 线切后蓝宝石晶片的翘曲度 (WARP) 和平坦度 (TTV) 差异在0.005 mm内。 使用的研磨固结磨料分别为W28和W7碳化硼 (B 抛光试验在同一台杭州智邦纳米有限公司生产的Nanopoli型双面抛光机上进行。选用沈阳科技制造有限公司生产的P-PAD型合成革抛光垫。抛光实验为总移除0.04 mm, 平均单面去除0.02 mm。双面抛光基本