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半导体微结构中的旋转轴耦合 0 电子轨道耦合的起源与作用 随着电子技术的快速发展，半导体芯的集成度变得越来越高。这给我们带来了两方面的问题和挑战。一方面是芯片的功耗及其相关的散热问题;另一方面是由于器件尺度减小而带来的量子效应问题。由于改变电子自旋状态所消耗的能量远低于改变电荷状态所消耗的能量,如果我们利用半导体中载流子的自旋自由度来实现已有的半导体器件的功能的话,功耗的问题将迎刃而解。半导体自旋电子学试图利用电子的自旋自由度来构造和实现传统的电子学器件的功能。 自旋是电子的内禀自由度,是一种奇特的量子性质。但到目前为止尚无任何实际的半导体器件应用。通常人们都利用磁场使得电子产生自旋劈裂,并操控自旋的状态。但是磁场在半导体器件中是难于实现的,因此从半导体器件实用化的角度考虑,人们更希望利用易于实现的电场来操控电子自旋。但是从直觉上讲,我们知道电场通常直接控制的是电子的空间轨道运动。 有趣的问题是我们是否有可能通过电场控制电子自旋?当电子的电荷和自旋自由度耦合起来时,会产生什么新奇的物理现象呢?我们可以设计出什么样的新型电子器件呢? 由电场控制电子自旋与传统的磁场控制的物理机制是完全不同的。教科书通常告诉我们电子同时具有电荷和磁矩(即自旋)。电场控制电荷及其轨道运动;而磁场可以操控磁矩及其自旋动力学。对在真空中慢速运动的电子来说,以上的简单图像足够的精确。然而,在晶体周期场中运动的电子来说,即便它的平均速度较慢时,以上的物理图像也会变得非常不同。电子的运动包含了围绕着原子核的轨道运动,而这种运动由于速度较快,因而展现出相对论效应。在相对论情形下,电子的自旋和轨道运动耦合在一起,不再是相互独立的运动。因此,电场是通过控制电子的轨道运动而间接地控制电子自旋的。 关于电子的自旋轨道耦合的起源,有一个直观但较简单粗糙的物理图像。我们考虑一个电子在真空中运动,假定我们在实验室参照系中施加一恒定的电场,由相对论中洛仑兹变换,我们知道在电子的运动参照系中存在一个磁场,即运动的电荷会感受到一个磁场的作用。从洛仑兹变换可以知道,磁场的大小和方向都是和电子运动的方向和速度有关的。 电场对电子自旋的操控还可以从体系的对称性角度来理解。物理体系的对称性总是对应物理量的守恒。如空间平移对称性对应体系动量守恒;时间平移对称性对应体系能量守恒;空间转动对称性对应角动量守恒等。下面我们讨论空间、时间反演对称性对自旋劈裂的影响。 在空间反演变换(用P表示)下,位置本征态x〉,动量本征态k〉,角动量本征态j,m〉,及Bloch态n,k,σ〉按下式变换: 当体系具有空间反演对称性时,由定态薛定谔方程H n,k,σ〉=En,k,σn,k,σ〉的空间反演H n,k,σ〉p=En,k,σn,k,σ〉p,即H n,-k,σ〉=En,k,σn,-k,σ〉可知En,k,σ=En,-k,σ。 在时间反演变换(用T表示)下,位置、动量、角动量本征态及Bloch态按下式变换: 当体系具有时间反演对称性时,从定态薛定谔方程H n,k,σ〉=En,k,σn,k,σ〉的时间反演H n,k,σ〉T=En,k,σn,k,σ〉T,即H n,-k,-σ〉=En,k,σn,-k,-σ〉可知En,k,σ=En,-k,-σ。 因此,当体系同时具有空间、时间反演对称性时,则有En,k,σ=En,k,-σ,即能带具有自旋简并的特征。反之,如果要产生自旋劈裂,则需要破坏以上两种对称性。通常我们采用磁场破坏时间反演对称性,而产生自旋劈裂;而电场则是通过破坏空间反演对称性来引致自旋劈裂的。 严格地讲,电磁场中电子的运动由4分量狄拉克方程描述, 其中右方第3项为自旋轨道耦合,可见所有材料中的自旋轨道耦合均源于相对论效应(源于正、负能态的耦合),其强度与狄拉克能隙成反比,与电子机械动量及电场强度E≡(1/e)V成正比。真空中的自由电子运动速度较慢,电场强度较弱,因而巨大的狄拉克能隙使得真空中电子的自旋轨道耦合非常弱;而在半导体晶体中,离子实产生强大的周期性势场,作用于电子上的电场强度高达~106kV/cm,它将外层绕离子运动的电子加速到~106m/s,从而得以克服狄拉克能隙,产生强度远大于真空情形的自旋轨道耦合。事实上,根据有效质量理论与狄拉克方程的相似性,可以得出同样的结论。有效质量理论表明,半导体中导带电子的自旋轨道耦合源于导带与价带间的耦合,耦合强度正比于电子的准动量,这两点都与狄拉克方程的情况相似。不同的是,半导体中导带、价带间的带隙仅0~3 eV(窄带隙材料的带隙更小,仅0~1 eV左右),远小于狄拉克能隙,通过简单的类比可以知道半导体(尤其是窄带隙半导体)材料中的自旋轨道耦合的强度将(近似地)反比于半导体的带隙,并且远大于真空中的电子。对于不同带隙的半导体材料,自旋轨道耦合强度可以相差六个数量级。这种强